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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce |
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MBR10H50-E3/45 | - | ![]() | 4917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR10 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 710 MV @ 10 a | 100 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B20-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 7612 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 15 v | 20 v | 24 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5234B-G3-08 | - | ![]() | 6572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5234 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-30wq03fntrpbf | - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 30WQ03 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 290pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fepf16dthe3_a/p | - | ![]() | 2766 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | FEPF16 | 기준 | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 8a | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZMC75-GS18 | 0.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC75 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 56 v | 75 v | 250 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA08TB60S-M3 | 0.9800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HFA08 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-HFA08TB60S-M3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.1 V @ 16 a | 55 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST223C08CFN1 | 85.3575 | ![]() | 7023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C | 클램프 클램프 | TO-200AB, A-PUK | ST223 | TO-200AB, A-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsst223c08cfn1 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 MA | 800 v | 745 a | 3 v | 4920A, 5150A | 200 MA | 1.58 v | 390 a | 40 MA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||
VS-VSKL71/06 | 42.4740 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | VSKL71 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKL7106 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 MA | 600 v | 165 a | 2.5 v | 1300a, 1360a | 150 MA | 75 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ETU3006FP-M3 | 1.7700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | ETU3006 | 기준 | TO-220-2 풀 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSETU3006FPM3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2 V @ 30 a | 45 ns | 30 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS32HE3_A/I | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS32 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6479HE3/96 | - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N6479 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1N6479HE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40L40CW-N3 | 3.1690 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 40L40 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-40L40CW-N3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 1.5 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
MPG06D-E3/54 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | MPG06 | 기준 | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP50GHE3/54 | - | ![]() | 5627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | EGP50 | 기준 | GP20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 5 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | 75pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYM13-20HE3/96 | - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | bym13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BYM13-20HE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS2P3LHE3/84A | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q100, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 200 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-96-1050-N3 | - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | VS-96 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-96-1050-N3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRKU56/16A | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | IRKU56 | 일반적인 일반적인 - 음극 scr | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.6kV | 95 a | 2.5 v | 1310a, 1370a | 150 MA | 60 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT120UFAPBF | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 16MTP 모듈 | 20mt120 | 240 W. | 기준 | MTP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20mt120ufapbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 105 | 전체 전체 인버터 | NPT | 1200 v | 20 a | 4.66V @ 15V, 40A | 250 µA | 아니요 | 3.79 NF @ 30 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSMD400CW60 | 105.8160 | ![]() | 2347 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | TO-244AB | VSMD400 | 기준 | TO-244AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvsmd400cw60 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 200a | 1.31 V @ 200 a | 200 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | v40pwm60chm3/i | 1.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | v40pwm60 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 720 MV @ 20 a | 1.4 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VSKD270-12 | - | ![]() | 6658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKD270 | 기준 | Magn-A-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1200 v | 270A | 50 ma @ 1200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384C30-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C30 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | v10d45c-m3/i | 0.9900 | ![]() | 9884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | v10d45 | Schottky | SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384B47-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B47 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 NA @ 32.9 v | 47 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | v1pl45-m3/h | 0.3500 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | microSMP | v1pl45 | Schottky | microSMP (do-219ad) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 530 mv @ 1 a | 250 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B4V3P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 7941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27B4V3 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 4.3 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKV250-04PBF | 170.1400 | ![]() | 4873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Magn-A-Pak | VSKV250 | 일반적인 일반적인 - 양극 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKV25004PBF | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 400 v | 555 a | 3 v | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3805B-M3/5B | 0.1304 | ![]() | 2428 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3805 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 35.8 v | 47 v | 67 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고