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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N4937GPHM3/54	-	RFQ	7060	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
BZG03C18TR3	-	RFQ	4130	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 13 v							18 v	15 옴
BZX55B7V5-TAP	0.2200	RFQ	56	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	컷 컷 (CT)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55B7V5		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 5 v							7.5 v	7 옴
VS-85HF140	17.6800	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HF140	기준			do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐												1400 v		1.4 V @ 267 a		4.5 ma @ 1400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	85A	-
BYM11-50-E3/97	0.1284	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	bym11	기준			do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4751A-TR	0.3600	RFQ	40	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4751		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v							30 v	40
IRKH136/12	-	RFQ	3705	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 2)	IRKH136			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			200 MA	1.2kV	300 a	2.5 v	3200A, 3360A	150 MA		135 a												1 scr, 1 다이오드
IRKH91/14A	-	RFQ	3412	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH91			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA	1.4kV	210 a	2.5 v	1785a, 1870a	150 MA		95 a												1 scr, 1 다이오드
VS-25TTS16S-M3	1.3103	RFQ	9606	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	25TTS16				to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			150 MA	1.6kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	10 MA	표준 표준
VBT3045C-M3/4W	1.2527	RFQ	5687	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VBT3045	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
1N4745A-T	-	RFQ	9749	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4745		1.3 w		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v							16 v	700 옴
VS-30CTQ100HN3	1.1798	RFQ	6845	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky			TO-220AB	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-VS-30CTQ100HN3	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	860 mV @ 15 a		550 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-16CTQ100GSPBF	-	RFQ	6628	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16ctq100	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		vs16ctq100gspbf	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	8a	880 mV @ 16 a		280 µa @ 100 v	175 ° C (°)
FESF16DTHE3_A/P	1.3200	RFQ	1449	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭	FESF16	기준			ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		975 MV @ 16 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
UG4A-M3/73	-	RFQ	1090	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG4	기준			Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		950 MV @ 4 a	30 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	20pf @ 4V, 1MHz
PTV4.7B-M3/85A	0.0825	RFQ	2076	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-220AA	PTV4.7		600MW		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		20 µa @ 1 v							4.7 v	10 옴
UG1D-E3/54	0.3900	RFQ	926	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UG1	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		950 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
v20pwm12c-m3/i	0.9900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	V20PWM12	Schottky			Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	120 v	10A	920 MV @ 10 a		300 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 175 ° C
GDZ3V9B-G3-08	0.0445	RFQ	6805	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ3V9		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																		5 µa @ 1 v							3.9 v	100 옴
GLL4752A-E3/97	0.3168	RFQ	4151	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4752		1 W.		Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 25.1 v							33 v	45 옴
SL23HE3/5BT	-	RFQ	4720	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SL23	Schottky			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		440 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
TZM5264F-GS18	-	RFQ	9737	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5264		500MW		SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000																1.1 v @ 200 ma		100 na @ 46 v							60 v	1400 옴
DZ23C39-G3-08	0.0483	RFQ	5569	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통																	100 na @ 29 v							39 v	90 옴
BU2008-M3/51	1.8076	RFQ	5187	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip, bu	BU2008	기준			Isocink+™ BU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	250																1.05 V @ 10 a		5 µa @ 800 v		20 a			단일 단일	800 v
VS-16FL60S05	5.0570	RFQ	5802	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	16FL60	기준			DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
v8pm12hm3_a/i	0.3008	RFQ	9166	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v8pm12	Schottky			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												120 v		840 mV @ 8 a		300 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.6a	-
BZT55C39-GS18	0.0283	RFQ	8136	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	BZT55C39		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 30 v							39 v	90 옴
S3J-E3/57T	0.5300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3J	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐												600 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
VS-20ETF02-M3	2.0048	RFQ	2472	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	20etf02	기준			TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS20ETF02M3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 V @ 20 a	60 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-VSKH142/16PBF	79.1473	RFQ	5367	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 4)	VSKH142			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKH14216PBF	귀 99	8541.30.0080	15			200 MA	1.6kV	310 a	2.5 v	4500A, 4712A	150 MA		140 a												1 scr, 1 다이오드

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²