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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-30WQ04FNTRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ04FNTRRHM3 0.8379
RFQ
ECAD 8115 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30wq04fntrrhm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 189pf @ 5V, 1MHz
GDZ5V6B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V6B-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ5V6 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 60 옴
VS-SDD250M16MPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SDD250M16MPBF -
RFQ
ECAD 3700 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - - SDD250 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) VSSDD250M16MPBF 귀 99 8541.10.0080 2 - - - -
VS-VSKT250-04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT250-04PBF 194.5300
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Magn-A-Pak VSKT250 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKT25004PBF 귀 99 8541.30.0080 2 500 MA 400 v 555 a 3 v 8500A, 8900A 200 MA 250 a 2 scrs
IRKL56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL56/12A -
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKL56 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.2kV 135 a 2.5 v 1310a, 1370a 150 MA 60 a 1 scr, 1 다이오드
1N5623GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5623GP-E3/54 0.6300
RFQ
ECAD 310 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5623 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.2 v @ 1 a 500 ns 500 NA @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
1N4148W-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4148W-HE3-18 0.2400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
SS25S-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS25S-E3/5AT 0.4200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS25 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 2 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZM55C5V1-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C5V1-TR3 0.2800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C5V1 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 550 옴
ES3B/7T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3b/7t -
RFQ
ECAD 6939 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
ESH2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2B-E3/52T 0.1576
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
SB1H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB1H90-E3/73 -
RFQ
ECAD 9313 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB1H90 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 770 mv @ 1 a 1 µa @ 90 v 175 ° C (°) 1A -
SL03-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL03-M-18 0.1238
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SL03 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 MV @ 1.1 a 10 ns 130 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1.1a -
SMZJ3791B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3791B-M3/52 0.1304
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3791 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
BZX84B51-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B51-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B51-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
VS-43CTQ100GSTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ100GSTRLP -
RFQ
ECAD 7845 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs43ctq100gstrlp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 980 mV @ 40 a 1 ma @ 100 v 175 ° C (°)
VFT6045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT6045C-M3/4W 1.5626
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft6045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 640 mV @ 30 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
V20DM60CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM60CHM3/i 1.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V20DM60 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 660 mV @ 10 a 600 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
SML4751HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4751HE3/5A -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4751 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
MMSZ5236B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
VS-ST280S06P0V Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST280S06P0V 82.8433
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 ST280 TO-209AB (TO-93) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 600 v 440 a 3 v 7850A, 8220A 150 MA 1.28 v 280 a 30 MA 표준 표준
VS-ST1230C12K1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1230C12K1 403.2600
RFQ
ECAD 5719 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1230 A-24 (K-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst1230c12k1 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 1.2kV 3200 a 3 v 28200A, 29500A 200 MA 1.62 v 1745 a 100 MA 표준 표준
VS-ST230S08P0VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230S08P0VPBF 86.9000
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 ST230 TO-209AB (TO-93) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST230S08P0VPBF 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 800 v 360 a 3 v 4800A, 5000A 150 MA 1.55 v 230 a 30 MA 표준 표준
MBRF1545CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1545Cthe3_A/P 0.7920
RFQ
ECAD 6912 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-mbrf1545cthe3_a/p 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 570 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
16TTS12S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16TTS12S -
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16TTS12 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 100 MA 1.2kV 16 a 2 v 200a @ 50Hz 60 MA 1.4 v 10 a 500 µA 표준 표준
ZMY91-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY91-GS08 -
RFQ
ECAD 4981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZMY91 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 68 v 91 v 250 옴
VS-HFA04TB60SL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04TB60SL-M3 0.3635
RFQ
ECAD 2325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA04 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 8 a 42 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a -
VLZ6V8-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ6V8-GS18 -
RFQ
ECAD 9113 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ6V8 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 6.8 v 8 옴
BZG03C220-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C220-HM3-08 0.5200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C220 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
BZX55C12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C12-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 - 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C12 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고