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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZT52C10-G3-18	0.0409	RFQ	3237	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C10		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														100 na @ 7.5 v					10 v	15 옴
MBR1645/45	-	RFQ	2248	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR16	Schottky			TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		630 mv @ 16 a		200 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
UF4006-E3/53	0.1726	RFQ	2294	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4006	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
153CNQ100	-	RFQ	3700	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-249AA (수정), D-60	153cnq	Schottky			D-60	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*153CNQ100	귀 99	8541.10.0080	10	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	150a	1.19 v @ 150 a		1.5 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SS25HE3_A/H	0.5400	RFQ	3163	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS25	Schottky			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
S5A-M3/9AT	0.1549	RFQ	2906	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5A	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	짐									50 v		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
VS-8ETH06STRL-M3	0.5067	RFQ	1349	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	8ETH06	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
MBR10H50-E3/45	-	RFQ	4917	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR10	Schottky			TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		710 MV @ 10 a		100 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
BZG05B20-HM3-08	0.2079	RFQ	7612	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B20		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000												1.2 v @ 200 ma		500 na @ 15 v					20 v	24 옴
MMBZ5234B-G3-08	-	RFQ	6572	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5234		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000														5 µa @ 4 v					6.2 v	7 옴
vs-30wq03fntrpbf	-	RFQ	8903	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	30WQ03	Schottky			D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		450 mV @ 3 a		2 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5A	290pf @ 5V, 1MHz
fepf16dthe3_a/p	-	RFQ	2766	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	FEPF16	기준			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	200 v	8a	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TZMC75-GS18	0.2300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMC75		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000												1.5 v @ 200 ma		100 na @ 56 v					75 v	250 옴
VS-HFA08TB60S-M3	0.9800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	HFA08	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-HFA08TB60S-M3GI	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		2.1 V @ 16 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VS-VSKL71/06	42.4740	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKL71			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKL7106	귀 99	8541.30.0080	10		250 MA	600 v	165 a	2.5 v	1300a, 1360a	150 MA	75 a										1 scr, 1 다이오드
VS-ETU3006FP-M3	1.7700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	ETU3006	기준			TO-220-2 풀 -2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSETU3006FPM3	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		2 V @ 30 a	45 ns	30 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
1N6479HE3/96	-	RFQ	2730	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N6479	기준			do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N6479HE3_A/H	귀 99	8541.10.0080	1,500	짐									100 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
MPG06D-E3/54	0.4000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	MPG06,, 방향	MPG06	기준			MPG06	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐									200 v		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
EGP50GHE3/54	-	RFQ	5627	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	EGP50	기준			GP20	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	75pf @ 4V, 1MHz
BYM13-20HE3/96	-	RFQ	4034	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AB, MELF	bym13	Schottky			GL41 (DO-213AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BYM13-20HE3_A/H	귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									20 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SS2P3LHE3/84A	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q100, ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS2P3	Schottky			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		500 mV @ 2 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
VS-96-1050-N3	-	RFQ	5864	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인					VS-96					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-VS-96-1050-N3	귀 99	8541.10.0080	25
VS-VSMD400CW60	105.8160	RFQ	2347	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	TO-244AB	VSMD400	기준			TO-244AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvsmd400cw60	귀 99	8541.10.0080	10	짐								1 음극 음극 공통	600 v	200a	1.31 V @ 200 a		200 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 175 ° C
v40pwm60chm3/i	1.5800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	v40pwm60	Schottky			Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	20A	720 MV @ 20 a		1.4 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
BZX384C30-E3-08	0.2400	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C30		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														50 na @ 21 v					30 v	80 옴
v10d45c-m3/i	0.9900	RFQ	9884	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	v10d45	Schottky			SMPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	5a	580 mV @ 5 a		500 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX384B47-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B47		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														50 NA @ 32.9 v					47 v	170 옴
v1pl45-m3/h	0.3500	RFQ	67	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	microSMP	v1pl45	Schottky			microSMP (do-219ad)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v		530 mv @ 1 a		250 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	1A	200pf @ 4V, 1MHz
BZD27B4V3P-M3-18	0.1155	RFQ	7941	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B4V3		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000												1.2 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v					4.3 v	7 옴
VS-VSKV250-04PBF	170.1400	RFQ	4873	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak	VSKV250			일반적인 일반적인 - 양극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKV25004PBF	귀 99	8541.30.0080	2		500 MA	400 v	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA	250 a										2 scrs

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²