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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5235C-G3-08	0.0483	RFQ	8559	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5235		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																	3 µa @ 5 v					6.8 v	5 옴
V30120SGHM3/4W	-	RFQ	9648	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	v30120	Schottky			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												120 v		1.28 V @ 30 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
vs-8ewf04spbf	-	RFQ	8631	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ewf04	기준			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs8ewf04spbf	귀 99	8541.10.0080	75	짐												400 v		1.2 v @ 8 a		100 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
AR3PKHM3/86A	-	RFQ	2273	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AR3	눈사태			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												800 v		1.9 V @ 3 a	120 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	34pf @ 4V, 1MHz
BZD27C51P-HE3-08	0.4500	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C51		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v					51 v	60 옴
TLZ8V2-GS18	0.0335	RFQ	9080	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	tlz8v2		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma							8.2 v	8 옴
VB30100C-M3/8W	0.9887	RFQ	3500	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB30100	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	800 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETH3006SHM3	2.5667	RFQ	9095	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETH3006	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSETH3006SHM3	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		2.65 V @ 30 a	26 ns	30 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
LL103C-GS18	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL103	Schottky			SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	50pf @ 0V, 1MHz
VS-VSKC250-16PBF	155.4950	RFQ	8873	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	int-a-pak	VSKC250	기준			int-a-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskc25016pbf	귀 99	8541.10.0080	2	짐											1 연결 연결 시리즈	1600 v	125a			50 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
8ETH06S	-	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	8ETH06	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
VS-95PF120W	5.8661	RFQ	5051	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	95pf120	기준			do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs95pf120w	귀 99	8541.10.0080	100	짐												1200 v		1.4 V @ 267 a			-55 ° C ~ 180 ° C	95A	-
VS-15EVU06-M3/I	1.2200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	15evu06	기준			Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.8 v @ 15 a	40 ns	20 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	-
GDZ3V9B-G3-08	0.0445	RFQ	6805	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ3V9		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																	5 µa @ 1 v					3.9 v	100 옴
VS-30CTQ100HN3	1.1798	RFQ	6845	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky			TO-220AB	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-VS-30CTQ100HN3	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	860 mV @ 15 a		550 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SS26S-M3/61T	0.3800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS26	Schottky			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
GP10QHM3/54	-	RFQ	5762	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐												1200 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1MHz
vs-mbrb3030ctl-m3	1.1529	RFQ	6335	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB3030	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	30 v	15a	470 mV @ 15 a		2 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TZX15C-TAP	0.0287	RFQ	9725	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & t (TB)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX15		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 11.5 v					15 v	40
BZD27C5V1P-E3-18	0.1341	RFQ	2519	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C5V1		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v					5.1 v	6 옴
VS-16FL60S05	5.0570	RFQ	5802	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	16FL60	기준			DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
BZG03C18TR3	-	RFQ	4130	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 13 v					18 v	15 옴
UG4A-M3/73	-	RFQ	1090	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG4	기준			Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		950 MV @ 4 a	30 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	20pf @ 4V, 1MHz
VS-20ETF02STRR-M3	1.5728	RFQ	3616	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf02	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-VSKT105/12	45.7470	RFQ	3091	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT105			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskt10512	귀 99	8541.30.0080	10		250 MA	1.2kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a												2 scrs
v20pwm12c-m3/i	0.9900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	V20PWM12	Schottky			Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	120 v	10A	920 MV @ 10 a		300 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-16CTQ100GSPBF	-	RFQ	6628	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16ctq100	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		vs16ctq100gspbf	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	8a	880 mV @ 16 a		280 µa @ 100 v	175 ° C (°)
1N4937GPHM3/54	-	RFQ	7060	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4937	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
vs-25tts12strrpbf	-	RFQ	8895	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	25TTS12				to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	800		150 MA	1.2kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	500 µA	표준 표준
VS-50RIA120	25.0400	RFQ	281	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AC, TO-65-3, 스터드	50ri120				TO-208AC (TO-65)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100		200 MA	1.2kV	80 a	2.5 v	1430a, 1490a	100 MA	1.6 v	50 a	15 MA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²