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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-6CWQ03FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq03fntrr-m3 0.3345
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq03fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 3.5a 520 MV @ 6 a 2 ma @ 30 v 150 ° C (°)
VS-15ETU12HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETU12HN3 0.9240
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 15etu12 기준 TO-220AC 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.78 V @ 15 a 167 ns 80 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 15a -
UH6PDHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh6pdhm3/86a -
RFQ
ECAD 7914 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn UH6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 6 a 140 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB2535CTTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb2535cttrrp -
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
BY448TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by448tr 0.6700
RFQ
ECAD 114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 by448 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1500 v 1.6 V @ 3 a 20 µs 3 µa @ 1500 v 140 ° C (°) 2A -
1N4944GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 1752 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4944 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C6V2P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C6V2P-E3-18 0.1341
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C6V2 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 6.2 v 3 옴
VS-20CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045STRRPBF -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-6TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ045HN3 0.6539
RFQ
ECAD 1122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 6TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
V3FL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3fl45-m3/h 0.3700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v3fl45 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 3 a 750 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 370pf @ 4V, 1MHz
VI10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150S-M3/4W 0.5516
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI10150 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.2 v @ 10 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1M-E3/67A 0.6000
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
MMBZ5259C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5259C-G3-08 -
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5259 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
GI504-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI504-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI504 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 9.4 a 2 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
BZG03B160-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B160-M3-08 0.2228
RFQ
ECAD 4051 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B160 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 120 v 160 v 350 옴
VS-ETL1506STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL1506STRRHM3 1.1423
RFQ
ECAD 3912 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETL1506 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.07 V @ 15 a 210 ns 15 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-12CWQ06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cwq06fntrhm3 1.3226
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs12cwq06fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 610 MV @ 6 a 3 ma @ 60 v 150 ° C (°)
VS-70HFR60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR60 11.1800
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFR60 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.35 V @ 220 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VBT1045BP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045BP-M3/8W 0.5826
RFQ
ECAD 7811 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 680 mV @ 10 a 500 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
GI250-1-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-1-M3/73 -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 테이프 & t (TB) 쓸모없는 GI250 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
MMSZ5235C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5235C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5235 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
V30120SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30120SGHM3/4W -
RFQ
ECAD 9648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 v30120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.28 V @ 30 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-8EWF04SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf04spbf -
RFQ
ECAD 8631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf04 기준 TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewf04spbf 귀 99 8541.10.0080 75 400 v 1.2 v @ 8 a 100 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
AR3PKHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PKHM3/86A -
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.9 V @ 3 a 120 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 34pf @ 4V, 1MHz
BZD27C51P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C51 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
TLZ8V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ8V2-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 tlz8v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 8.2 v 8 옴
VB30100C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30100C-M3/8W 0.9887
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 800 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-ETH3006SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3006SHM3 2.5667
RFQ
ECAD 9095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETH3006 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSETH3006SHM3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
LL103C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL103C-GS18 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL103 Schottky SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma 50pf @ 0V, 1MHz
VS-VSKC250-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC250-16PBF 155.4950
RFQ
ECAD 8873 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak VSKC250 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskc25016pbf 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 1600 v 125a 50 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고