RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
UH1BHE3_A/H	0.1254	RFQ	6673	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	uh1	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.05 V @ 1 a	25 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
vs-10ets08strl-m3	1.6900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10ets08	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									800 v		1.1 v @ 10 a		50 µa @ 800 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
EGL34C-E3/83	0.1513	RFQ	4792	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AA (유리)	EGL34	기준			DO-213AA (GL34)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	9,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									150 v		1.25 V @ 500 ma	50 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	7pf @ 4V, 1MHz
SML4737A-E3/61	-	RFQ	8738	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4737		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800														10 µa @ 5 v							7.5 v	4 옴
TZM5228B-GS18	0.0303	RFQ	1896	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5228		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000												1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
UF1007-E3/54	0.1691	RFQ	5775	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1007	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
2kbp10m-e4/51	-	RFQ	3717	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPM	2KBP10	기준			KBPM	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	600												1.1 v @ 3.14 a		5 µa @ 1000 v		2 a			단일 단일	1kv
VS-VSKL26/12	37.0040	RFQ	8420	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vskl26			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKL2612	귀 99	8541.30.0080	10		200 MA	1.2kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA	27 a										1 scr, 1 다이오드
1N5620GPHE3/73	-	RFQ	6819	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5620	기준			DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	짐									800 v		1.2 v @ 1 a	2 µs	500 NA @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 12v, 1MHz
GI754-E3/73	0.9700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	p600, 축,	GI754	기준			P600	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	300	짐									400 v		900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1MHz
BZD27C120P-M-18	-	RFQ	7685	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C120		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v							120 v	250 옴
vs-mbrb20100ctgtlp	-	RFQ	2236	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		vsmbrb20100ctgtlp	귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	10A	800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BYM13-40-E3/97	0.6200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AB, MELF	bym13	Schottky			GL41 (DO-213AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SML4736-E3/61	-	RFQ	4385	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4736		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800														10 µa @ 4 v							6.8 v	3.5 옴
mbrb2045cttrl	-	RFQ	8624	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB20	Schottky			to-263ab (d²pak)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	10A	570 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VBT6045C-M3/4W	1.6536	RFQ	6539	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt6045	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	30A	640 mV @ 30 a		3 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-8AF2RPP	-	RFQ	1445	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시, 마운트 스터드	B-47	8AF2	표준, 극성 역			B-47	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐									200 v				5 ma @ 200 v	-65 ° C ~ 195 ° C	50a	-
BYM11-600-E3/97	0.4300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	bym11	기준			do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-45L20	35.6840	RFQ	1443	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			스터드 스터드	DO-205AC, DO-30, 스터드	45L20	기준			DO-205AC (DO-30)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS45L20	귀 99	8541.10.0080	25	짐									200 v		1.33 V @ 471 a			-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
TLZ39C-GS08	0.0335	RFQ	7811	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ39		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500												1.5 v @ 200 ma		40 na @ 34.2 v							39 v	85 옴
BZD27C15P-E3-18	0.1475	RFQ	7291	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v							15 v	10 옴
VS-ETH1506STRL-M3	1.5500	RFQ	3304	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETH1506	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	짐									600 v		2.45 V @ 15 a		15 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
V40DM120C-M3/I	2.1450	RFQ	1257	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V40DM120	Schottky			SMPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	120 v	20A	890 mV @ 20 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SS1P5L-M3/84A	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS1P5	Schottky			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		590 mV @ 1 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5228B-HE3-08	-	RFQ	8766	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000														10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
MSS1P3LHM3/89A	-	RFQ	1289	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	microSMP	MSS1P3	Schottky			microSMP (do-219ad)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		500 mV @ 1 a		250 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	65pf @ 4V, 1MHz
ES1B/1	-	RFQ	4754	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MURS120/2	-	RFQ	8065	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	MURS120	기준			DO-214AA (SMB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		875 mv @ 1 a	35 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
RGP10GE-E3/54	0.4800	RFQ	9282	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-SD3000C10K	223.1700	RFQ	9742	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			클램프 클램프	DO-200AC, K-PUK	SD3000	기준			DO-200AC, K-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2	짐									1000 v		1.22 V @ 6000 a		75 ma @ 1000 v		3800A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²