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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5258C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5258C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 9690 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5258 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
ZMY43-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY43-GS08 0.4200
RFQ
ECAD 935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZMY43 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 32 v 43 v 80 옴
UG1C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1C-M3/73 -
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UG1 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
VB20202G-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20202G-M3/8W 1.8400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB20202 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 920 MV @ 10 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
TZM5264C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5264C-GS08 -
RFQ
ECAD 6830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5264 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
VS-VSKCS200/045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS200/045 45.6060
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKCS200 Schottky Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKCS200045 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 45 v 100A 670 mV @ 100 a 10 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12PBF -
RFQ
ECAD 2882 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 20etf12 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 20 a 400 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
DZ23C9V1-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C9V1-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 9142 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C9V1-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 7 v 9.1 v 4.8 옴
VS-ST730C16L1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST730C16L1 150.2467
RFQ
ECAD 3977 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC, B-PUK ST730 TO-200AC, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst730c16l1 귀 99 8541.30.0080 3 600 MA 1.6kV 2000 a 3 v 15000A, 15700A 200 MA 1.62 v 990 a 80 MA 표준 표준
TZM5263C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5263C-GS08 -
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5263 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
BZG05B24-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B24-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 2515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 18 v 24 v 25 옴
BA159GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA159 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1PBHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PBHM3/84A 0.0872
RFQ
ECAD 2086 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
V3PL63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pl63-m3/h 0.4700
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v3pl63 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 3 a 70 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 460pf @ 4V, 1MHz
GSD2004A-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSD2004A-E3-08 0.2800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 GSD2004 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 240 v 225MA 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 240 v 150 ° C (°)
SML4746HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4746HE3/61 -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4746 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
SMZG3796B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3796B-E3/52 0.2475
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMZG3796 1.5 w DO-215AA (SMBG) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 15.2 v 20 v 4 옴
SMZJ3793A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3793A-E3/5B -
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
IRKL105/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL105/06A -
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKL105 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 600 v 235 a 2.5 v 1785a, 1870a 150 MA 105 a 1 scr, 1 다이오드
VS-181RKI80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-181RKI80 72.3967
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 181RKI80 TO-209AB (TO-93) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS181RKI80 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 800 v 285 a 2.5 v 3500A, 3660A 150 MA 1.35 v 180 a 30 MA 표준 표준
Z4KE140AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE140AHE3/73 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE140 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 500 MA 500 NA @ 106.4 v 140 v 900 옴
15ETH06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ETH06S -
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 15 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BAQ33-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ33-GS08 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAQ33 기준 SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 1 na @ 15 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
BZT52B16-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B16-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 5442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B16 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 12 v 16 v 13 옴
MBRB10H60HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H60HE3/81 -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 710 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
AS1FDHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1fdhm3/h 0.3800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 눈사태 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.15 V @ 1.5 a 1.3 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 8.8pf @ 4V, 1MHz
VS-EPU3006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EPU3006-N3 3.8108
RFQ
ECAD 1178 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 EPU3006 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSEPU3006N3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 45 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
VS-VSKC56/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC56/06 36.3300
RFQ
ECAD 8790 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskc56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKC5606 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 600 v 30A 10 ma @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-10CTQ150STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150STRLPBF -
RFQ
ECAD 2809 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 150 v 175 ° C (°)
BZX384C3V6-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V6-G3-08 0.2900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C3V6 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고