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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-40HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR100 10.1800
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
BY127MGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY127MGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 BY127 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1250 v 1.5 v @ 5 a 2 µs 5 µa @ 1250 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.75A -
12TQ045STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12TQ045STRL -
RFQ
ECAD 9008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
V4PAL45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v4pal45hm3_a/i 0.6000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 v4pal45 Schottky DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 430 mv @ 2 a 450 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
3N253-E4/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N253-E4/45 -
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N253 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
V6PWM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6pwm12hm3/i 0.6000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 830 mv @ 6 a 100 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A 530pf @ 4V, 1MHz
VS-87HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFR10 8.7170
RFQ
ECAD 3744 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 87hfr10 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs87hfr10 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MMSZ5259B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5259B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5259 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
VS-8EWH06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewh06fntrr-m3 0.4981
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewh06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
S1KA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1KA-E3/5AT -
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
HFA75MC40C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA75MC40C -
RFQ
ECAD 4580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA HFA75 기준 TO-249AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *HFA75MC40C 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 75A (DC) 1.5 V @ 75 a 100 ns 3 µa @ 400 v
GSD2004A-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSD2004A-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 7284 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 GSD2004 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 240 v 225MA 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 240 v 150 ° C (°)
VB20100S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-M3/4W 0.7209
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
EGP10FHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10FHM3/73 -
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GP02-35HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-35HE3/54 -
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 3500 v 3 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 3500 v -65 ° C ~ 175 ° C 250ma -
VS-E5PX3012LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PX3012LHN3 2.3403
RFQ
ECAD 1352 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 기준 TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-VS-E5PX3012LHN3 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 30 a 80 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
VS-40CPQ060PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CPQ060PBF -
RFQ
ECAD 9439 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq060 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 530 mV @ 20 a 1.7 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS25HE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS25HE3/52T -
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS25 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
V3PL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pl45-m3/i 0.0990
RFQ
ECAD 9578 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v3pl45 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-v3pl45-m3/itr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 540 mV @ 3 a 450 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 550pf @ 4V, 1MHz
BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY254P-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by254 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
SS2P5-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P5-E3/84A -
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS2P5 Schottky DO-220AA (SMP) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 80pf @ 4V, 1MHz
AR3PGHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PGHM3/86A -
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.6 V @ 3 a 140 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1MHz
50WQ03FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50wq03fn -
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 460 mV @ 5 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A -
MBRF15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF15 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-SD703C25S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD703C25S20L 125.7600
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD703 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 2500 v 2.2 v @ 1500 a 3 µs 50 ma @ 2500 v 700A -
VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10etf12FP-M3 2.6700
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf12 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf12fpm3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.33 V @ 10 a 310 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-95-4685PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95-4685PBF -
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 50
M3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M3060C-E3/4W -
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 M3060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 720 MV @ 15 a 350 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-1N3673A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n3673a 6.7300
RFQ
ECAD 5168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3673 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.35 V @ 12 a 600 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
V10PM6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pm6-m3/h 0.6600
RFQ
ECAD 488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10pm6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 10 a 800 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 1650pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고