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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-40HFR100 | 10.1800 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 40HFR100 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 125 a | 9 ma @ 1000 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | ||||||||||||
![]() | BY127MGP-E3/73 | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | BY127 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 1250 v | 1.5 v @ 5 a | 2 µs | 5 µa @ 1250 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.75A | - | |||||||||||
![]() | 12TQ045STRL | - | ![]() | 9008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 12TQ045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | ||||||||||||
![]() | v4pal45hm3_a/i | 0.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 | v4pal45 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 430 mv @ 2 a | 450 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 450pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 3N253-E4/45 | - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 3N253 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 50 v | 2 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||||
![]() | v6pwm12hm3/i | 0.6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 830 mv @ 6 a | 100 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | 530pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-87HFR10 | 8.7170 | ![]() | 3744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 87hfr10 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs87hfr10 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 100 v | 1.2 v @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 85A | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5259 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | ||||||||||||||
![]() | vs-8ewh06fntrr-m3 | 0.4981 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ewh06 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8ewh06fntrrm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | S1KA-E3/5AT | - | ![]() | 9592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1K | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 3 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | HFA75MC40C | - | ![]() | 4580 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-249AA | HFA75 | 기준 | TO-249AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *HFA75MC40C | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 400 v | 75A (DC) | 1.5 V @ 75 a | 100 ns | 3 µa @ 400 v | |||||||||||
GSD2004A-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 7284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | GSD2004 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 240 v | 225MA | 1 v @ 100 ma | 50 ns | 100 na @ 240 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||
![]() | VB20100S-M3/4W | 0.7209 | ![]() | 4545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | VB20100 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 900 mV @ 20 a | 500 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||
![]() | EGP10FHM3/73 | - | ![]() | 8309 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | GP02-35HE3/54 | - | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP02 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 짐 | 3500 v | 3 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 3500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 250ma | - | |||||||||||
![]() | VS-E5PX3012LHN3 | 2.3403 | ![]() | 1352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 기준 | TO-247AD | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-E5PX3012LHN3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 3.3 v @ 30 a | 80 ns | 50 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||
![]() | VS-40CPQ060PBF | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 40cpq060 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 1.7 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SS25HE3/52T | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS25 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||
![]() | v3pl45-m3/i | 0.0990 | ![]() | 9578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | v3pl45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v3pl45-m3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 540 mV @ 3 a | 450 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 550pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
BY254P-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | by254 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SS2P5-E3/84A | - | ![]() | 4388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | AR3PGHM3/86A | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | AR3 | 눈사태 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.6 V @ 3 a | 140 ns | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 44pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 50wq03fn | - | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 50WQ03 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 75 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 460 mV @ 5 a | 3 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5A | - | ||||||||||||
![]() | MBRF15H60CT-E3/45 | - | ![]() | 1318 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | MBRF15 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 7.5A | 730 MV @ 7.5 a | 50 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-SD703C25S20L | 125.7600 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 클램프 클램프 | DO-200AB, B-PUK | SD703 | 기준 | DO-200AB, B-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 2500 v | 2.2 v @ 1500 a | 3 µs | 50 ma @ 2500 v | 700A | - | ||||||||||||
![]() | VS-10etf12FP-M3 | 2.6700 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | 10etf12 | 기준 | TO-220-2 풀 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs10etf12fpm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 @ 1000 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | VS-95-4685PBF | - | ![]() | 6807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | * | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | M3060C-E3/4W | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | M3060 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 720 MV @ 15 a | 350 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
vs-1n3673a | 6.7300 | ![]() | 5168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N3673 | 기준 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1000 v | 1.35 V @ 12 a | 600 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | v10pm6-m3/h | 0.6600 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v10pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 a | 800 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 1650pf @ 4v, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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