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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SS2P3LHE3/84A	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q100, ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS2P3	Schottky			DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		500 mV @ 2 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
UB10CCT-E3/4W	-	RFQ	1528	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UB10	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	5a	1.1 v @ 5 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETH06STRL-M3	0.5067	RFQ	1349	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	8ETH06	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		2.4 v @ 8 a	25 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
VS-96-1050-N3	-	RFQ	5864	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인					VS-96					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-VS-96-1050-N3	귀 99	8541.10.0080	25
3KBP08M-M4/51	-	RFQ	7558	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPM	3KBP08	기준			KBPM	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	600												1.05 V @ 3 a		5 µa @ 800 v		3 a			단일 단일	50 v
MPG06B-E3/100	0.1487	RFQ	4306	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	MPG06,, 방향	MPG06	기준			MPG06	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	짐									100 v		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZT52C10-G3-18	0.0409	RFQ	3237	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C10		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														100 na @ 7.5 v							10 v	15 옴
SS25HE3_A/H	0.5400	RFQ	3163	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS25	Schottky			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBRB2060CT-E3/81	1.5200	RFQ	239	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2060	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	10A	800 mV @ 10 a		150 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
fepf16dthe3_a/p	-	RFQ	2766	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	FEPF16	기준			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	200 v	8a	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GP10AE-M3/54	-	RFQ	1352	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐									50 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
v8pa10-m3/i	0.5400	RFQ	81	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드	V8PA10	Schottky			DO-221BC (SMPA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		760 mV @ 8 a		800 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	850pf @ 4V, 1MHz
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MMBD914-E3-18	0.2000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD914	기준			SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									100 v		1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	150 ° C (°)	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
MBRB2060CThe3_B/I	0.8250	RFQ	1896	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2060	Schottky			TO-263AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	60 v	10A	800 mV @ 10 a		150 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-E3-08	0.2800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	BAV20	기준			SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	150 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
VSKD250-20	-	RFQ	9642	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD250	기준			Magn-A-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2	짐								1 연결 연결 시리즈	2000 v	250A			50 ma @ 2000 v
VSKC250-12	-	RFQ	8695	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKC250	기준			Magn-A-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2	짐								1 음극 음극 공통	1200 v	250A			50 ma @ 1200 v
U3D-M3/9AT	0.5500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	U3D	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
VFT3045CBP-M3/4W	1.9400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	vft3045	Schottky			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 ma @ 45 v	200 ° C (()
EGF1DHE3_A/H	-	RFQ	3413	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	EGF1	기준			DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1 V @ 1 a	50 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
LS103C-GS18	0.0651	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-80 변형	LS103	Schottky			SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	-	50pf @ 0V, 1MHz
irke56/12a	-	RFQ	8252	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	Add-A-Pak (2)	irke56	기준			Add-a-Pak®	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10	짐									1200 v				10 ma @ 1200 v		60a	-
fepf16at-e3/45	-	RFQ	3251	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	FEPF16	기준			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	50 v	8a	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SBLB1030HE3/45	-	RFQ	1901	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SBLB1030	Schottky			TO-263AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		600 mV @ 10 a		1 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	-
SA2D-M3/5AT	0.0717	RFQ	1255	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SA2	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐									200 v		1.1 v @ 2 a	1.5 µs	3 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11pf @ 4V, 1MHz
BAW56-HE3-18	0.0303	RFQ	9148	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	baw56	기준			SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 양극 양극 공통	70 v	250ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 ma @ 70 v	150 ° C (°)
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VBT2045C-E3/8W	0.8206	RFQ	7878	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt2045	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	10A	580 mV @ 10 a		2 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF12STRR-M3	1.6055	RFQ	2219	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf12	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1200 v		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²