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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BAT54A-G3-18	0.0501	RFQ	9930	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												30 v	200MA (DC)	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
BZG05C15-HE3-TR	-	RFQ	8930	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 11 v				15 v	15 옴
VS-ST380C06C1	103.4917	RFQ	3822	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST380			TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst380c06c1	귀 99	8541.30.0080	12			600 MA	600 v	1900 a	3 v	12600A, 13200A	200 MA	1.6 v	960 a	50 MA	표준 표준
SL12HE3_B/I	0.3700	RFQ	4352	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SL12	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												20 v		445 MV @ 1 a		200 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5A	-
vs-mbrb735trlpbf	-	RFQ	6401	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB7	Schottky		to-263ab (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												35 v		840 mV @ 15 a		100 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5A	400pf @ 5V, 1MHz
MMBZ5233B-E3-18	-	RFQ	8949	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5233		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		5 µa @ 3.5 v				6 v	7 옴
VS-47CTQ020STRLPBF	-	RFQ	3431	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	47ctq020	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	20 v	20A	450 mV @ 20 a		3 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-16CTQ060GSTRRP	-	RFQ	3286	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16ctq060	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		vs16ctq060gstrrp	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	8a	880 mV @ 16 a		280 µa @ 60 v	150 ° C (°)
GP10KHM3/73	-	RFQ	7990	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐												800 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1MHz
VS-SD823C20S20C	131.7283	RFQ	1971	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			스터드 스터드	DO-200AA, A-PUK	SD823	기준		B-43,, 푸크	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12		짐												2000 v		2.2 v @ 1500 a	3 µs	50 ma @ 2000 v		810A	-
MMBZ4618-E3-08	-	RFQ	5354	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4618		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																		1 µa @ 1 v				2.7 v	1500 옴
FGP50BHE3/54	-	RFQ	7017	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	FGP50	기준		GP20	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		950 MV @ 5 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
V8PAM10S-M3/I	0.4100	RFQ	548	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드		Schottky		DO-221BC (SMPA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		840 mV @ 8 a		180 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 175 ° C	2.8a	600pf @ 4V, 1MHz
BZX384B3V6-HE3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B3V6		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
1N4761A- 탭	0.3300	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	컷 컷 (CT)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4761		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v				75 v	175 옴
V60D120C-M3/i	4.4900	RFQ	890	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형		Schottky		SMPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	120 v	30A	960 MV @ 30 a		800 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MP805-E3/54	-	RFQ	1826	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MP805	기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐												400 v					-	1A	-
1N6481HE3/96	-	RFQ	2349	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N6481	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N6481HE3_A/H	귀 99	8541.10.0080	1,500		짐												400 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
VS-20ETF02FP-M3	2.1161	RFQ	6050	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	20etf02	기준		TO-220-2 풀 -2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-20ETF02FP-M3GI	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.67 V @ 60 a	160 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
LL4150GS08	0.2000	RFQ	53	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL4150	기준		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	300ma	2.5pf @ 0v, 1MHz
30wq04fntrr	-	RFQ	9054	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	30WQ04	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		530 mV @ 3 a		2 ma @ 40 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
MBRB3045Cthe3/45	-	RFQ	8935	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB30	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	15a	600 mV @ 20 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
AZ23B18-HE3-18	0.0534	RFQ	4218	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B18		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통																	100 na @ 14 v				18 v	50 옴
DZ23C5V1-HE3-08	0.0436	RFQ	7309	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통																	100 NA @ 800 MV				5.1 v	60 옴
ugb8jthe3_a/p	-	RFQ	3808	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UGB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.75 V @ 8 a	50 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VS-T85HFL60S02	42.8100	RFQ	6652	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	D-55 T- 5	T85	기준		D-55	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v			200 ns	20 ma @ 600 v		85A	-
VS-30CPQ060PBF	-	RFQ	6506	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3		Schottky		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	15a	600 mV @ 15 a		800 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TZM5246B-GS18	0.0303	RFQ	5606	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5246		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.1 v @ 200 ma		100 na @ 12 v				16 v	17 옴
TZM5237B-GS18	0.0303	RFQ	5908	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5237		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v				8.2 v	8 옴
BZG03C10-M3-08	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C10		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 500 ma		10 µa @ 7.5 v				10 v	4 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²