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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
fese8jt-e3/45	-	RFQ	3857	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	fese8	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 8 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	50pf @ 4V, 1MHz
SRP600A-E3/54	-	RFQ	2816	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	p600, 축,	SRP600	기준		P600	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 6 a	100 ns	10 µa @ 50 v	-50 ° C ~ 125 ° C	6A	-
vs-10ets12spbf	-	RFQ	2872	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10ets12	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	짐		1200 v		1.1 v @ 10 a		50 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
FESF16JT-E3/45	2.1000	RFQ	998	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭	FESF16	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 16 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-MBR3045CT-N3	-	RFQ	6981	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR30	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-MBR3045CT-N3GI	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	15a	760 mV @ 30 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
ugf18bcthe3_a/p	-	RFQ	6612	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF18	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	18a	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SB260-E3/73	0.4300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB260	Schottky		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		680 MV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
fep16athe3/45	-	RFQ	7660	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	fep16	기준		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	16A	950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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IRKJ236/12	-	RFQ	2217	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	int-a-pak (3)	IRKJ236	기준		기준 기준	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3	짐	1 양극 양극 공통	1200 v	230a			20 ma @ 1200 v
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MMBZ4690-HE3-08	-	RFQ	2487	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4690		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000							10 µa @ 4 v				5.6 v
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VS-12TQ040STRLHM3	1.0540	RFQ	6704	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	12TQ040	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		560 mV @ 15 a		1.75 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	900pf @ 5V, 1MHz
182NQ030	-	RFQ	1807	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D-67 하프 7	182NQ030	Schottky		D-67 하프 7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		510 mV @ 180 a		15 ma @ 30 v		180a	7700pf @ 5V, 1MHz
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VS-6FR60	3.7351	RFQ	2223	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	6FR60	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐		600 v		1.1 v @ 19 a		12 ma @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
BZD17C150P-E3-08	0.1601	RFQ	5994	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD17C150		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 110 v				150 v
BZX384B68-HE3-18	0.0378	RFQ	8124	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B68		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							50 NA @ 47.6 v				68 v	240 옴
BZX384B2V7-G3-18	0.0445	RFQ	5970	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B2V7		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							20 na @ 1 v				2.7 v	100 옴
SS1P6LHE3/84A	-	RFQ	9007	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q100, ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS1P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		590 mV @ 1 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VS-85HFL60S02M	22.8236	RFQ	6349	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HFL60	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS85HFL60S02M	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.75 V @ 267 a	120 ns		-40 ° C ~ 125 ° C	85A	-
SB5H90-E3/54	0.7500	RFQ	7168	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB5H90	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mV @ 5 a		200 µa @ 90 v	175 ° C (°)	5a	-
8ews16strl	-	RFQ	5404	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ews16	기준		D-PAK (TO-252AA)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1600 v		1.1 v @ 8 a		50 µa @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
10etf04fp	-	RFQ	7517	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	10etf04	기준		TO-220AC 전체 ac	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.2 v @ 10 a	145 ns	100 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
v30kl45-m3/i	0.4803	RFQ	5040	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-V30KL45-M3/ITR	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		570 mV @ 30 a		1.7 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	6.3A	4750pf @ 4V, 1MHz
RGP10KE-E3/54	0.1754	RFQ	8538	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²