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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
LS103C-GS08	0.4300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-80 변형	LS103	Schottky		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	-	50pf @ 0V, 1MHz
SSA34HE3_A/H	0.5000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		490 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
TZM5251C-GS18	-	RFQ	2623	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5251		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 17 v				22 v	29 옴
VS-30CPQ100PBF	-	RFQ	4982	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	30cpq10	Schottky		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	15a	860 mV @ 15 a		550 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
EGP10GHE3/73	-	RFQ	2827	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	EGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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SS3H10-M3/9AT	0.6500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS3H10	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		800 mv @ 3 a		20 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SML4733A-E3/5A	-	RFQ	3119	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4733		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							10 µa @ 1 v				5.1 v	7 옴
SMPZ3921B-M3/85A	0.0957	RFQ	3963	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-220AA	SMPZ3921		500MW	DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 200 ma		200 µa @ 5.2 v				6.8 v	2.5 옴
BZD27C7V5P-HE3-18	0.1520	RFQ	7880	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C7V5		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 3 v				7.5 v	2 옴
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19tq015strl	-	RFQ	5068	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	19TQ015	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		15 v		360 MV @ 19 a		1.5 ma @ 15 v	-55 ° C ~ 125 ° C	19a	-
Se12dbhm3/i	0.4538	RFQ	2345	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	SE12	기준		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	짐		100 v		1.15 V @ 12 a	3 µs	20 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3.2A	90pf @ 4V, 1MHz
vs-8ewf12spbf	-	RFQ	3890	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ewf12	기준		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs8ewf12spbf	귀 99	8541.10.0080	75	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		1.3 V @ 8 a		100 µa @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
FGP20B-E3/54	-	RFQ	2748	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FGP20	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	2 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	45pf @ 4V, 1MHz
s4pdhm3_a/i	0.1980	RFQ	8852	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	S4P	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	짐		200 v		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	30pf @ 4V, 1MHz
BYD13DGPHE3/54	-	RFQ	1190	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BYD13	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐		200 v					-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
U1D-M3/5AT	0.4900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	U1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		920 MV @ 1 a	24 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.8pf @ 4V, 1MHz
vs-50wq10fntrrpbf	-	RFQ	8026	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50wq10	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs50wq10fntrrpbf	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		770 mv @ 5 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	183pf @ 5V, 1MHz
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1N5238B-TR	0.2300	RFQ	8844	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5238		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000					1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v				8.7 v	8 옴
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VS-85HFR20	12.1300	RFQ	5558	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HFR20	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐		200 v		1.2 v @ 267 a		9 ma @ 200 v	-65 ° C ~ 180 ° C	85A	-
MMSZ4708-G3-18	0.0409	RFQ	7564	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4708		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							10 na @ 16.7 v				22 v
20TQ045	-	RFQ	5081	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	20TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		570 mV @ 20 a		2.7 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
VS-8CSH01-M3/86A	0.7500	RFQ	118	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	8CSH01	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	4a	950 MV @ 4 a	25 ns	2 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C
vs-50wq04fntrhm3	0.9839	RFQ	5755	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50WQ04	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs50wq04fntrhm3	귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510 mV @ 5 a		3 ma @ 40 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	405pf @ 5V, 1MHz
BAS40-06-HE3-18	0.0606	RFQ	3192	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	100 na @ 30 v	125 ° C (°)
VS-10TQ045PBF	-	RFQ	3098	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	10TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		760 mV @ 10 a		6 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²