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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX84C51-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C51-HE3-18 0.0323
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C51 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
FEPE16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPE16AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fepe16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 16A 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
Z4KE140A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE140A-E3/73 -
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE140 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 500 MA 500 NA @ 106.4 v 140 v 900 옴
VS-20ETS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS16-M3 1.6819
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ets16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ets16m3 귀 99 8541.10.0080 1,000 1600 v 1.1 v @ 20 a 100 µa @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-10CTQ150-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150-M3 1.1700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 10ctq150 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
RGL41K-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41K-E3/96 0.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) RGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS8P3LHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3lhm3_a/h 0.6200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 8 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 330pf @ 4V, 1MHz
S1PMHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PMHE3/85A -
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
SD101BW-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101BW-HE3-08 0.0534
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 950 mV @ 15 mA 1 ns 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.1pf @ 0v, 1MHz
FEPB16DT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16DT-E3/81 0.9817
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FEPB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWF04STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf04strl-m3 2.0160
RFQ
ECAD 1177 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf04 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewf04strlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLM-GS18 0.3400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1F 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
UF5408-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF5408-E3/73 0.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UF5408 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 36pf @ 4V, 1MHz
VS-150KSR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150KSR10 35.6160
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 섀시, 마운트 스터드 B-42 150ksr10 표준, 극성 역 B-42 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 100 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 100 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRB16H35HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H35HE3/45 -
RFQ
ECAD 9582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB16 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 660 mV @ 16 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
SA2K-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2K-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
S5G-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5G-E3/57T 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 400 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
VS-85HFLR80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFLR80S05 13.5363
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFLR80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.75 V @ 266.9 a 500 ns 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
BYT54B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54B-TAP 0.2574
RFQ
ECAD 3524 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYT54 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.5 v @ 1 a 100 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.25A -
81CNQ040ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 81CNQ040ASL -
RFQ
ECAD 5767 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 81CNQ Schottky D-61-8-SL 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *81CNQ040ASL 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 40a 740 mV @ 80 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
AU1PDHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pdhm3/85a 0.1914
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA AU1 눈사태 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.5 v @ 1 a 75 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 11pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5267B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5267B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5267 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
VS-STPS30L30CGPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-stps30l30cgpbf -
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 460 mV @ 15 a 1.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5244B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5244B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5244 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
VS-2EGH02-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EGH02-M3/5BT 0.1529
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 2EGH02 기준 DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 23 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
8EWS12STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ews12strl -
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews12 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1200 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
GP10-4003-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4003-E3/54 0.1780
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v - 1A -
MMSZ5249C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249C-E3-18 0.3200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5249 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
VS-ST183S04MFN1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST183S04MFN1 -
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 - 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 ST183S04 TO-209AB (TO-93) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST183S04MFN1 귀 99 8541.30.0080 12 - 표준 표준
BZT03C18-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C18-TR 0.7200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03C18 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고