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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 짐 | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C51-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C51 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 35.7 v | 51 v | 180 옴 | |||||||||||||||
![]() | FEPE16AT-E3/45 | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | fepe16 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 16A | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | Z4KE140A-E3/73 | - | ![]() | 6923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Z4KE140 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 106.4 v | 140 v | 900 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-20ETS16-M3 | 1.6819 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 20ets16 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20ets16m3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 1600 v | 1.1 v @ 20 a | 100 µa @ 1600 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | VS-10CTQ150-M3 | 1.1700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 10ctq150 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 1.1 v @ 10 a | 50 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | RGL41K-E3/96 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | RGL41 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | ss8p3lhm3_a/h | 0.6200 | ![]() | 925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS8P3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 570 mV @ 8 a | 200 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 330pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | S1PMHE3/85A | - | ![]() | 9239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | S1p | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SD101BW-HE3-08 | 0.0534 | ![]() | 7984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 950 mV @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 30ma | 2.1pf @ 0v, 1MHz | |||||||||||
![]() | FEPB16DT-E3/81 | 0.9817 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FEPB16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 8a | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | vs-8ewf04strl-m3 | 2.0160 | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ewf04 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8ewf04strlm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.2 v @ 8 a | 55 ns | 100 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | S1FLM-GS18 | 0.3400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | S1F | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 700ma | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
UF5408-E3/73 | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | UF5408 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 36pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-150KSR10 | 35.6160 | ![]() | 4972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 섀시, 마운트 스터드 | B-42 | 150ksr10 | 표준, 극성 역 | B-42 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 짐 | 100 v | 1.33 V @ 471 a | 35 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | MBRB16H35HE3/45 | - | ![]() | 9582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 660 mV @ 16 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | ||||||||||||
![]() | SA2K-M3/5AT | 0.0717 | ![]() | 6014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SA2 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 2 a | 1.5 µs | 3 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S5G-E3/57T | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S5G | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 850 | 짐 | 400 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-85HFLR80S05 | 13.5363 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 85HFLR80 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.75 V @ 266.9 a | 500 ns | 100 µa @ 800 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 85A | - | |||||||||||
![]() | BYT54B-TAP | 0.2574 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYT54 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.5 v @ 1 a | 100 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.25A | - | |||||||||||
![]() | 81CNQ040ASL | - | ![]() | 5767 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | D-61-8-SL | 81CNQ | Schottky | D-61-8-SL | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *81CNQ040ASL | 귀 99 | 8541.10.0080 | 400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 40a | 740 mV @ 80 a | 5 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | au1pdhm3/85a | 0.1914 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | AU1 | 눈사태 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.5 v @ 1 a | 75 ns | 1 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
MMBZ5267B-HE3-18 | - | ![]() | 5739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5267 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 | |||||||||||||||
![]() | vs-stps30l30cgpbf | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS30 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 15a | 460 mV @ 15 a | 1.5 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
MMBZ5244B-HE3-08 | - | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5244 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 옴 | |||||||||||||||
![]() | VS-2EGH02-M3/5BT | 0.1529 | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 2EGH02 | 기준 | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 2 a | 23 ns | 2 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | 8ews12strl | - | ![]() | 6269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ews12 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1200 v | 1.1 v @ 8 a | 50 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | GP10-4003-E3/54 | 0.1780 | ![]() | 2393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 200 v | - | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5249C-E3-18 | 0.3200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5249 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||||||||||
![]() | VS-ST183S04MFN1 | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | - | 섀시, 마운트 스터드 | to-209ab, to-93-4, 스터드 | ST183S04 | TO-209AB (TO-93) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSST183S04MFN1 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 12 | - | 표준 표준 | ||||||||||||||||
![]() | BZT03C18-TR | 0.7200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT03 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.39% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BZT03C18 | 1.3 w | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 13 v | 18 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고