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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84C5V1-HE3-08 | 0.2400 |  | 146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5V1 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||
 | VS-95-0298pbf | - | | 1632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | * | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
 | GI828-E3/54 | - | | 9918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | GI828 | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.1 v @ 5 a | 200 ns | 10 µa @ 800 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| MMBZ4706-G3-08 | - | | 9756 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4706 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 14.4 v | 19 v | ||||||||||||||||
 | ss1fl3-m3/i | 0.0959 | | 5955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | ss1fl3 | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 480 mV @ 1 a | 200 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
 | SD101BW-G3-18 | 0.0577 | | 1889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 400 mv @ 1 ma | 1 ns | 200 na @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 30ma | 2.1pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/H | - | | 2076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | bym11 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | BYM11-1000HE3_B/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | TLZ47-GS18 | 0.0335 | | 7650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ47 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 40 NA @ 41.8 v | 47 v | 90 옴 | ||||||||||||||
| TLZ30-GS18 | 0.0335 | | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ30 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 30 v | 80 옴 | |||||||||||||||
 | SB220-E3/54 | 0.5100 | | 325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | SB220 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||||
 | BU1008-E3/45 | 1.8851 | | 9579 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, bu | BU1008 | 기준 | Isocink+™ BU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 5 a | 5 µa @ 800 v | 3.2 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||
 | vs-mbrb1035pbf | - | | 1834 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||
| MMBZ4702-G3-18 | - | | 3384 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4702 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 11.4 v | 15 v | ||||||||||||||||
| TY119M202A6OV | - | | 1600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | TY119 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | - | |||||||||||||||||||
| 122NQ030R | - | | 1719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D-67 하프 7 | 122NQ030 | Schottky | D-67 하프 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *122NQ030R | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 490 mV @ 120 a | 10 ma @ 30 v | 120a | 7400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
| VS-10TQ045S-M3 | 1.4400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10TQ045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 900pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | SSB43L-M3/52T | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SSB43 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 450 mV @ 4 a | 600 µa @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 4a | - | |||||||||||||
 | vs-sd400n16pc | 106.5800 | | 2282 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | SD400 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 1600 v | 15 ma @ 1600 v | -40 ° C ~ 190 ° C | 400A | - | ||||||||||||||
 | 1N4732A-TR | 0.3700 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4732 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.7 v | 8 옴 | ||||||||||||||
 | SS34-M3/9AT | 0.2030 | | 8420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||
| BZD27B130P-E3-18 | 0.1155 | | 3288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27B130 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 100 v | 130 v | 300 옴 | ||||||||||||||
| TZM5227B-GS08 | 0.2300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5227 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 15 µa @ 1 v | 3.6 v | 24 옴 | ||||||||||||||
| vs-mbrb1645trrpbf | - | | 5915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsmbrb1645trrpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 mv @ 16 a | 200 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
 | PLZ39A-HG3_A/H | 0.3600 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-219AC | plz39 | 500MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 30 v | 39 v | 85 옴 | ||||||||||||||
| VS-30CTQ060STRLPBF | - | | 9760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 30CTQ060 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 620 MV @ 15 a | 800 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
 | VS-150EBU04 | 8.0900 | | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | PowerTab ™, Powirtab ™ | 150EBU04 | 기준 | Powirtab ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 150 a | 93 ns | 50 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | ||||||||||||
 | BZG03C30-HM3-08 | 0.5200 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C30 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 22 v | 30 v | 15 옴 | ||||||||||||||
 | S1PKHE3/85A | - | | 9164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | S1p | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| AZ23B2V7-HE3-18 | 0.0534 | | 4009 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B2V7 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 2.7 v | 83 옴 | |||||||||||||||
| vs-25ctq045strr-m3 | 0.8963 | | 3121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 25ctq045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1.75 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C |
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