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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V7NM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v7nm153-m3/h 0.5700
RFQ
ECAD 7389 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 대부분 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn v7nm153 Schottky DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V7NM153-m3/h 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 980 MV @ 7 a 70 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 390pf @ 4V, 1MHz
VLZ36B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ36B-GS18 -
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ36 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 31.2 v 33.64 v 75 옴
SBYV26C-5001M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26C-5001M3/73 -
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SBYV26 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.5 V @ 1 a 30 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
BY203-12STAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY203-12STAP 0.3168
RFQ
ECAD 1122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BY203 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.4 v @ 200 ma 300 ns 2 µa @ 700 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma -
VS-86HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-86HF100 14.7416
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 86HF100 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.2 v @ 267 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
VS-6FLR20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FLR20S02 5.5151
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FLR20 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
DZ23C7V5-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C7V5-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 6786 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
BZD27C110P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C110P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C110 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 82 v 110 v 250 옴
ZPY7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy7v5 5 0.0545
RFQ
ECAD 5797 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 zpy7v5 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 zpy7v5tap 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 na @ 5 v 7.5 v 1 옴
VS-20L15TSTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20L15TSTRL-M3 1.6400
RFQ
ECAD 487 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20L15 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A 2000pf @ 5V, 1MHz
MUR120-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR120-E3/54 -
RFQ
ECAD 3329 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 MUR120 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-60CPU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPU02-N3 8.2500
RFQ
ECAD 144 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60cpu02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 1.1 v @ 30 a 30 ns 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBRB2535CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2535CTTRR -
RFQ
ECAD 9945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
TZMC5V6-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC5V6-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc5v6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
VX60M60PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60m60pw-m3/p 2.8400
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 vx60m Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-vx60m60pw-m3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 630 mV @ 30 a 650 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
12CTQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CTQ035STRR -
RFQ
ECAD 6836 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
SML4744A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4744A-E3/5A 0.5000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4744 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
AR4PJHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar4pjhm3_a/h 0.6699
RFQ
ECAD 6112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 4 a 140 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 77pf @ 4v, 1MHz
SML4752-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4752-E3/61 0.4700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4752 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
SBLB25L30CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division sblb25l30cthe3_a/p -
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB25L30 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 sblb25l30cthe3_b/p 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 390 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR25H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 640 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-VS52CDR04M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS52CDR04M -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 VS52 - 112-VS-VS52CDR04M 1
MMBZ5247B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5247B-E3-08 -
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5247 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
20ETF02FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf02fp -
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 20etf02 기준 TO-220AC 전체 ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *20etf02fp 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 20 a 160 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VLZ9V1-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ9V1-GS18 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ9V1 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 9.1 v 8 옴
VS-30CTQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035PBF -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-2EGH02HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2egh02hm3_a/i 0.4700
RFQ
ECAD 9465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 2EGH02 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 25 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
SMZJ3790A-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3790A-E3/5B -
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 10 µa @ 8.4 v 11 v 6 옴
VS-6CWQ04FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq04fntrl-m3 0.3363
RFQ
ECAD 5126 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq04fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3.5a 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v 150 ° C (°)
SS34HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HM3_A/I 0.2424
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SS34HM3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고