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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
AZ23B36-HE3-18	0.0534	RFQ	9147	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B36		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통																	100 na @ 27 v				36 v	90 옴
MBRB10100-M3/4W	0.7447	RFQ	3950	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VFT4045C-M3/4W	1.5015	RFQ	4731	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	VFT4045	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	20A	580 mV @ 20 a		3 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG03B20-HM3-08	0.2310	RFQ	5824	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B20		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 15 v				20 v	15 옴
IRKJ56/06A	-	RFQ	1395	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	IRKJ56	기준		Add-a-Pak®	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		짐											1 양극 양극 공통	600 v	60a			10 ma @ 600 v
US1B-M3/5AT	0.0825	RFQ	6493	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		1 V @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
S1AFK-M3/6A	0.0858	RFQ	2024	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	S1A	기준		DO-221AC (Slimsma)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		짐												800 v		1.1 v @ 1 a	1.47 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7.9pf @ 4V, 1MHz
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VS-80RIA120PBF	44.4300	RFQ	33	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	80ri120			TO-209AC (TO-94)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			200 MA	1.2kV	125 a	2.5 v	1900a, 1990a	120 MA	1.6 v	80 a	15 MA	표준 표준
VBT6045C-M3/4W	1.6536	RFQ	6539	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	vbt6045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	30A	640 mV @ 30 a		3 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-8AF2RPP	-	RFQ	1445	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시, 마운트 스터드	B-47	8AF2	표준, 극성 역		B-47	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐												200 v				5 ma @ 200 v	-65 ° C ~ 195 ° C	50a	-
VS-45L20	35.6840	RFQ	1443	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			스터드 스터드	DO-205AC, DO-30, 스터드	45L20	기준		DO-205AC (DO-30)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS45L20	귀 99	8541.10.0080	25		짐												200 v		1.33 V @ 471 a			-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
TLZ8V2-GS18	0.0335	RFQ	9080	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	tlz8v2		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma						8.2 v	8 옴
VS-VSKC250-16PBF	155.4950	RFQ	8873	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	int-a-pak	VSKC250	기준		int-a-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskc25016pbf	귀 99	8541.10.0080	2		짐											1 연결 연결 시리즈	1600 v	125a			50 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-6TQ045HN3	0.6539	RFQ	1122	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	6TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
VS-SD3000C10K	223.1700	RFQ	9742	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			클램프 클램프	DO-200AC, K-PUK	SD3000	기준		DO-200AC, K-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐												1000 v		1.22 V @ 6000 a		75 ma @ 1000 v		3800A	-
CS3M-E3/I	-	RFQ	5448	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	CS3	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		짐												1000 v		1.15 V @ 3 a	2.8 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz
VS-ETH1506STRL-M3	1.5500	RFQ	3304	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETH1506	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		짐												600 v		2.45 V @ 15 a		15 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
VS-71HF10	6.8191	RFQ	3983	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	71HF10	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐												100 v		1.35 V @ 220 a		15 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 180 ° C	70A	-
ugb15jthe3/81	-	RFQ	5728	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UGB15	기준		to-263ab (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.75 V @ 15 a	50 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5259C-G3-08	-	RFQ	6614	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5259		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
vs-12cwq06fntrhm3	1.3226	RFQ	9981	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	12CWQ06	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs12cwq06fntrhm3	귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	6A	610 MV @ 6 a		3 ma @ 60 v	150 ° C (°)
GI504-E3/54	0.4700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	GI504	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		짐												400 v		1.1 v @ 9.4 a	2 µs	5 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
GI250-1-M3/73	-	RFQ	5697	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	*	테이프 & t (TB)	쓸모없는					GI250				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000
V30120SGHM3/4W	-	RFQ	9648	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	v30120	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												120 v		1.28 V @ 30 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
TLZ39C-GS08	0.0335	RFQ	7811	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ39		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500																1.5 v @ 200 ma		40 na @ 34.2 v				39 v	85 옴
SS23HE3/52T	-	RFQ	7333	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS23	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
LL103C-GS18	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL103	Schottky		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	50pf @ 0V, 1MHz
MMBZ4697-G3-08	-	RFQ	2615	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4697		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																		1 µa @ 7.6 v				10 v
VS-ST083S08PFN1	111.1692	RFQ	4170	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST083			TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst083s08pfn1	귀 99	8541.30.0080	25			600 MA	800 v	135 a	3 v	2060a, 2160a	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²