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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
TZS4700-GS08	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	TZS4700		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.5 v @ 100 ma		50 na @ 9.8 v					13 v
VS-6TQ035ST-M3	0.5613	RFQ	9818	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	6TQ035	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												35 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
VS-111CNQ045ASMPBF	-	RFQ	5448	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	D-61-8-SM	111CNQ045	Schottky			D-61-8-SM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs111cnq045asmpbf	귀 99	8541.10.0080	400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	110A			1.5 ma @ 45 v	175 ° C (°)
V15K202C-M3/H	0.6542	RFQ	5297	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky			Flatpak (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-V15K202C-M3/HTR	귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	3A	900 MV @ 7.5 a		50 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZX55F8V2-TR	-	RFQ	2835	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.2 v					8.2 v	7 옴
BZG05C13-HE3-TR	-	RFQ	6572	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 200 ma		500 na @ 10 v					13 v	10 옴
BZD17C180P-E3-18	0.1601	RFQ	7145	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD17C180		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 130 v					180 v
TZM5247C-GS08	-	RFQ	7966	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5247		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 13 v					17 v	19 옴
BZX85B13-TAP	0.3800	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	컷 컷 (CT)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85B13		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	500 na @ 10 v					13 v	10 옴
IRKT26/08A	-	RFQ	3198	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT26			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10		200 MA	800 v	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												2 scrs
TZMC3V0-GS08	0.2300	RFQ	227	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMC3V0		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.5 v @ 200 ma		4 µa @ 1 v					3 v	90 옴
BZG03C16-M3-08	0.5000	RFQ	3957	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG03C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.63%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03C16		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500															1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 12 v					16 v	15 옴
SMZJ3791A-E3/52	-	RFQ	9707	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	smzj37		1.5 w		DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750																	5 µa @ 9.1 v					12 v	7 옴
SML4745AHE3/61	-	RFQ	1431	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4745		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																	5 µa @ 12.2 v					16 v	16 옴
sml4754ahe3_a/h	0.2253	RFQ	5313	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4754		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																	5 µa @ 29.7 v					39 v	60 옴
v40pwm153chm3/i	1.5700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky			Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.04 V @ 20 a		150 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 175 ° C
GDZ9V1B-HG3-18	0.0509	RFQ	1271	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ9V1		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	500 na @ 6 v					9.1 v	30 옴
MMSZ5241B-HE3-18	0.0378	RFQ	5267	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5241		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	2 µa @ 8.4 v					11 v	22 옴
TLZ3V3B-GS18	0.0335	RFQ	3015	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ3V3		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v					3.3 v	70 옴
40TPS08A	-	RFQ	9276	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-247-3	40TPS08				TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500		150 MA	800 v	55 a	2.5 v	600A @ 50Hz	150 MA	1.85 v	35 a	500 µA	표준 표준
es1che3_a/i	0.1073	RFQ	9894	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5235C-E3-18	0.0433	RFQ	5682	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5235		500MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	3 µa @ 5 v					6.8 v	5 옴
BZT55C3V9-GS18	0.0283	RFQ	3461	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	BZT55C3V9		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v					3.9 v	90 옴
BZT52B3V6-HE3-18	0.0454	RFQ	8447	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B3V6		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																						3.6 v	80 옴
TZS4689B-GS08	-	RFQ	8611	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZS4689		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v					5.1 v
BYM07-400-E3/98	0.4100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AA (유리)	BYM07	기준			DO-213AA (GL34)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.35 V @ 500 MA	50 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	7pf @ 4V, 1MHz
ESH1DHE3/5AT	-	RFQ	5217	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	ESH1	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-12TTS08SLHM3	2.0100	RFQ	211	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	12TTS08				to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	800		30 MA	800 v	12.5 a	1 v	110A @ 50Hz	15 MA	1.2 v	8 a	5 MA	표준 표준
VS-MUBR2020CT-1-M3	1.2300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	murb2020	기준			TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	10A	1.15 V @ 16 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
ESH2CHE3/52T	-	RFQ	5734	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ESH2	기준			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		930 MV @ 2 a	35 ns	2 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²