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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-40CTQ150-1PBF	-	RFQ	3783	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	40ctq150	Schottky		TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs40ctq1501pbf	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.16 V @ 40 a		50 µa @ 150 v	175 ° C (°)
BZG05C4V7-HE3-TR	-	RFQ	3546	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v				4.7 v	13 옴
FES8HT-E3/45	0.6056	RFQ	6045	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	FES8	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.5 v @ 8 a	50 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
vs-1n3893r	-	RFQ	2957	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N3893	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	-
SSA34HE3/5AT	-	RFQ	9405	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		490 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SS14-71CHE3_A/I	-	RFQ	8237	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VLZ4V3A-GS08	-	RFQ	6468	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ4V3		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v				4.17 v	40
201CNQ040	-	RFQ	3168	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-244AB	201CNQ	Schottky		TO-244AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*201CNQ040	귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	200a	810 mV @ 200 a		10 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VSD3913R	-	RFQ	3064	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	VSD3913	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		400 v						30A	-
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gp10ye-m3/73	-	RFQ	3586	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1600 v		1.3 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
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PTV22B-E3/84A	-	RFQ	8107	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	150 ° C	표면 표면	DO-220AA	PTV22		600MW	DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 17 v				23.3 v	14 옴
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TZM5256B-GS08	0.2300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5256		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 23 v				30 v	49 옴
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VS-1N2133RA	-	RFQ	4811	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N2133	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		300 v		1.3 v @ 188 a		10 ma @ 300 v	-65 ° C ~ 200 ° C	60a	-
GI816HE3/54	-	RFQ	8502	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	GI816	기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		600 v		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
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SD101CWS-G3-18	0.0612	RFQ	6225	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD101	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		900 mv @ 15 ma	1 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	30ma	2.2pf @ 0v, 1MHz
vs-6cwq03fntrr-m3	0.3345	RFQ	1246	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	6CWQ03	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs6cwq03fntrrm3	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	3.5a	520 MV @ 6 a		2 ma @ 30 v	150 ° C (°)
BAV303-TR	0.2700	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	bav303	기준		마이크로 마이크로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 200 v	175 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
RS2D-M3/5BT	0.1142	RFQ	9952	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	10pf @ 4V, 1MHz
RS3GHE3_A/I	0.2549	RFQ	8400	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2.5 a	150 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	44pf @ 4V, 1MHz
by448tr	0.6700	RFQ	114	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	by448	눈사태		SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		1500 v		1.6 V @ 3 a	20 µs	3 µa @ 1500 v	140 ° C (°)	2A	-
vs-10etf06fp-m3	1.4479	RFQ	8840	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	10etf06	기준		TO-220-2 풀 -2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs10etf06fpm3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-QA300FA17	27.6200	RFQ	2858	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	QA300	Schottky		SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	170 v	300A	980 MV @ 200 a	71 ns	200 µa @ 170 v	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²