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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
UF1007-E3/54	0.1691	RFQ	5775	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1007	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
VS-85HFLR10S02	9.8065	RFQ	1846	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HFLR10	표준, 극성 역			do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.75 V @ 266.9 a	200 ns	100 @ 100 v	-40 ° C ~ 125 ° C	85A	-
MMBZ5228C-G3-18	-	RFQ	7019	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		225 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
VB40100CHM3/i	-	RFQ	4493	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB40100	Schottky			TO-263AB	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	100 v	20A	730 mv @ 20 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VX60120CHM3/P.	1.2656	RFQ	6817	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-VX60120CHM3/p	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	120 v	30A	940 mV @ 30 a		600 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52C22-E3-18	0.0360	RFQ	8463	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C22		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														100 na @ 17 v							22 v	25 옴
SML4737A-E3/61	-	RFQ	8738	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4737		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800														10 µa @ 5 v							7.5 v	4 옴
30CTQ045STRL	-	RFQ	5454	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	30CTQ	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	15a	620 MV @ 15 a		2 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C16P-E3-08	0.5300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12 v							16 v	15 옴
VS-81CNQ045ASLPBF	-	RFQ	8735	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	D-61-8-SL	81CNQ045	Schottky			D-61-8-SL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS81CNQ045ASLPBF	귀 99	8541.10.0080	400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	45 v	40a	600 mV @ 40 a		5 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SF5400 00	0.5346	RFQ	8853	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	SF5400	기준			SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v		1.1 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
TZMC13-GS08	0.2300	RFQ	486	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMC13		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500												1.5 v @ 200 ma		100 na @ 10 v							13 v	26 옴
TZM5228B-GS18	0.0303	RFQ	1896	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5228		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000												1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
GDZ5V6B-HG3-08	0.0509	RFQ	6676	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ5V6		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000														1 µa @ 2.5 v							5.6 v	60 옴
2kbp10m-e4/51	-	RFQ	3717	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPM	2KBP10	기준			KBPM	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	600												1.1 v @ 3.14 a		5 µa @ 1000 v		2 a			단일 단일	1kv
VS-VSKL26/12	37.0040	RFQ	8420	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vskl26			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKL2612	귀 99	8541.30.0080	10		200 MA	1.2kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA	27 a										1 scr, 1 다이오드
EGP10GHE3/54	-	RFQ	7389	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	EGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5620GPHE3/73	-	RFQ	6819	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5620	기준			DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	짐									800 v		1.2 v @ 1 a	2 µs	500 NA @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 12v, 1MHz
as4pmhm3_a/i	0.6386	RFQ	7452	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AS4	눈사태			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.1 v @ 4 a	1.8 µs	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
20etf06strr	-	RFQ	8459	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf06	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MBRB7H35HE3/81	-	RFQ	1211	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB7	Schottky			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									35 v		630 MV @ 7.5 a		50 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5A	-
1N4006GPE-M3/54	-	RFQ	5993	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을		1N4006					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500
BYV32-200HE3/45	-	RFQ	2329	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	byv32	기준			TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	200 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SML4750-E3/61	0.4700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4750		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800														5 µa @ 20.6 v							27 v	35 옴
RS2DHE3/52T	-	RFQ	1389	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2	기준			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
VS-40CTQ150-1PBF	-	RFQ	3783	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	40ctq150	Schottky			TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs40ctq1501pbf	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.16 V @ 40 a		50 µa @ 150 v	175 ° C (°)
BZG05C4V7-HE3-TR	-	RFQ	3546	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000												1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v							4.7 v	13 옴
FES8HT-E3/45	0.6056	RFQ	6045	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	FES8	기준			TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									500 v		1.5 v @ 8 a	50 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
vs-1n3893r	-	RFQ	2957	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N3893	표준, 극성 역			DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	-
SSA34HE3/5AT	-	RFQ	9405	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	SSA34	Schottky			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		490 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²