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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5234B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5234B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5234 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
AR4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PJ-M3/86A 0.4290
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 4 a 140 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 77pf @ 4v, 1MHz
TZMB9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB9V1-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB9V1 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
BAV20WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-E3-18 0.3000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAV20 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS40 Schottky TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
S3A-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3A-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3A 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 50 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 16pf @ 4V, 1MHz
TZM5253B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5253B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5253 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
RGP10BEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/73 -
RFQ
ECAD 7951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-150K10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150K10A 28.5996
RFQ
ECAD 3289 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150K10 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 100 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 100 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
RS1PGHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pghm3/85a -
RFQ
ECAD 6898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-220AA Rs1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
1N3293 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3293 -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3293 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *1N3293 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 1.5 v @ 100 a 17 ma @ 600 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
BZX384B68-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B68-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 8124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B68 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
GL34GHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34GHE3/98 -
RFQ
ECAD 3298 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) GL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 GL34GHE3_A/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 400 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZG05B3V6-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V6-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 3.6 v 20 옴
UG18DCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18DCthe3/45 -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 UG18 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-150K60A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150K60A 37.3500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150k60 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 600 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 600 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
VS-ST1280C04K1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1280C04K1 261.3600
RFQ
ECAD 8260 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1280 A-24 (K-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST1280C04K1 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 400 v 4150 a 3 v 35700A, 37400A 200 MA 1.44 v 2310 a 100 MA 표준 표준
IRKJ236/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKJ236/12 -
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 int-a-pak (3) IRKJ236 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1 양극 양극 공통 1200 v 230a 20 ma @ 1200 v
V20WM100C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20WM100C-M3/i -
RFQ
ECAD 2298 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20WM100 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 820 MV @ 10 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VSSB410S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB410S-E3/5BT 0.4500
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SB410 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 MV @ 4 a 1.5 µa @ 70 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.9a 230pf @ 4V, 1MHz
SMZG3791B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3791B-E3/5B 0.2407
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMZG3791 1.5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
MMBZ5233C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233C-G3-18 -
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5233 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
VS-VSKL71/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL71/08 42.8990
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKL71 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKL7108 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 800 v 165 a 2.5 v 1300a, 1360a 150 MA 75 a 1 scr, 1 다이오드
VS-ST303C04CFN1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST303C04CFN1 100.2075
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AB, E-PUK ST303 TO-200AB (E-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST303C04CFN1 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 400 v 1180 a 3 v 6690A, 7000A 200 MA 2.16 v 620 a 50 MA 표준 표준
VS-VSKN56/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN56/16 39.7370
RFQ
ECAD 6635 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) vskn56 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKN5616 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6kV 135 a 2.5 v 1200A, 1256A 150 MA 60 a 1 scr, 1 다이오드
BA159GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 8531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA159 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
PLZ24B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ24B-G3/H 0.3100
RFQ
ECAD 619 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz24 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 800 mv @ 10 ma 200 na @ 19 v 23.19 v 35 옴
VSSAF3M10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf3m10-m3/i 0.1188
RFQ
ECAD 1259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF3M10 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A 364pf @ 4V, 1MHz
SML4740-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4740-E3/5A 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4740 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
VS-MBRB20100CTGTLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb20100ctgtlp -
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsmbrb20100ctgtlp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고