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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZW03C51-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C51-TR -
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 39 v 51 v 27
VS-16CTU04STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04STRPBF -
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctu04 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs16ctu04strrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 8a 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v 175 ° C (°)
1N4748A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4748A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
VB40170C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40170C-E3/4W 3.2400
RFQ
ECAD 4127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB40170 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 20A 1.2 v @ 20 a 250 µa @ 170 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZX55A5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A5V1-TAP -
RFQ
ECAD 4929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 35 옴
TZMC43-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC43-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 428 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC43 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 90 옴
SML4764AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4764ahe3/61 -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4764 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
1N4740A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4740A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4740 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
AZ23B2V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B2V7-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 6150 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B2V7 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 2.7 v 83 옴
EGP10CHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CHM3/54 -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
VS-70HF40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF40M 17.0803
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HF40M 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
SMZJ3796BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3796bhe3_a/h 0.1597
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3796 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
SMAZ5939B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz5939b-m3/5a 0.1063
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5939 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
AZ23C51-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C51-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 3699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C51-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
VS-15AWL06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15awl06fn-m3 1.3100
RFQ
ECAD 970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15awl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 220 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-15EWL06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 220 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BZM55C4V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C4V3-TR 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C4V3 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 600 옴
SML4757AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4757ahe3/61 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4757 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
SMPZ3921B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3921B-M3/84A 0.1045
RFQ
ECAD 8458 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA SMPZ3921 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 200 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
TZM5236C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5236C-GS08 -
RFQ
ECAD 2732 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5236 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
TZQ5244B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5244B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5244 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
1N5240C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5240C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5240 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
BZD27B3V9P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B3V9 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 8 옴
MURS160-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS160-M3/5BT 0.4300
RFQ
ECAD 8458 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS160 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-VSKCS409/150 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS409/150 88.8400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKCS409 Schottky Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 150 v 200a 1.03 V @ 200 a 6 ma @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-60APU06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU06HN3 5.0417
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APU06 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs60apu06hn3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.68 V @ 60 a 81 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
BZT55B4V3-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B4V3-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B4V3 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
VS-MBRS320TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrs320trpbf -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB MBRS3 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsmbrs320trpbf 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 360pf @ 5V, 1MHz
AR4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PM-M3/86A 0.4373
RFQ
ECAD 1683 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.9 v @ 4 a 120 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 55pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5245C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5245C-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5245C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고