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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-6FR60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FR60 3.7351
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FR60 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
GP10-4002E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VB30M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30M120CHM3/i -
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30M Schottky TO-263AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 980 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX384B2V7-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B2V7-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B2V7 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 20 na @ 1 v 2.7 v 100 옴
1N4937GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
VS-12TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040STRLHM3 1.0540
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
UGF18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf18bcthe3_a/p -
RFQ
ECAD 6612 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF18 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
V30KL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30kl45-m3/i 0.4803
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V30KL45-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 30 a 1.7 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 6.3A 4750pf @ 4V, 1MHz
SS2P3LHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3LHM3/84A 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
VS-15ETH06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06HN3 0.9522
RFQ
ECAD 1746 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 15ETH06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 2.2 v @ 15 a 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MF10H100CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division mf10h100cthe3_b/p 0.9405
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MF10H100 Schottky ITO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 850 mv @ 10 a 3.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-25CTQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ctq045strrpbf -
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX384B47-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B47-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B47 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
VS-85HFL60S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFL60S02M 22.8236
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS85HFL60S02M 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 267 a 120 ns -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
SBLF25L30CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF25L30CT-E3/45 1.0141
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBLF25L30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BYD33JGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33JGPHE3/54 -
RFQ
ECAD 4356 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BYD33 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1FLD-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLD-GS18 0.0512
RFQ
ECAD 2160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1F 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
FEP16ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep16athe3/45 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 16A 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VBT4060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4060C-M3/4W 1.4578
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VBT4060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 620 MV @ 20 a 6 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-30CTQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040PBF -
RFQ
ECAD 2110 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ040 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-80EPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EPF02PBF -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80epf02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 80 a 190 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
BYWB29-200HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-200HE3_A/P. 0.7590
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB bywb29 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
121NQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 121NQ040 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 121NQ040 Schottky D-67 하프 7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *121NQ040 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 120 a 10 ma @ 40 v 120a 5200pf @ 5V, 1MHz
BZG03B180TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B18TR -
RFQ
ECAD 2664 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 130 v 180 v 400 옴
PLZ4V3C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ4V3C-HG3_A/H 0.0476
RFQ
ECAD 8824 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz4v3 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.44 v 40
SE10PD-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE10PD-E3/84A -
RFQ
ECAD 5580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SE10 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.05 V @ 1 a 780 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-UFB200FA60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB200FA60p -
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB200 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VSUFB200FA60p 귀 99 8541.10.0080 180 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 126a 1.78 V @ 100 a 108 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
ZM4762A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4762A-GS18 -
RFQ
ECAD 8428 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZM4762 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZM4762AGS18 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
EGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
300CNQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 300CNQ045 -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 300cnq Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 300A 610 mV @ 150 a 15 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고