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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
TLZ27D-GS18	0.0335	RFQ	3885	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ27		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		40 na @ 25 v						27 v	45 옴
GBU6JL-5303M3/45	-	RFQ	7113	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU6	기준		GBU	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1						1 V @ 6 a		5 µa @ 600 v		3.8 a		단일 단일	600 v
PLZ2V0B-G3/H	0.2800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4.27%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz2v0		960 MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		120 µa @ 500 mV						2.11 v	140 옴
VS-10TQ040-M3	1.1800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	10TQ040	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		670 mV @ 20 a		2 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	900pf @ 5V, 1MHz
rgp10gehe3/91	-	RFQ	2439	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
v10km60c-m3/h	0.7600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	4.8a	630 mv @ 5 a		600 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
BZG05B9V1-E3-TR3	-	RFQ	5433	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1.98%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 6.8 v						9.1 v	5 옴
vs-10etf02strrpbf	-	RFQ	6657	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10etf02	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs10etf02strrpbf	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MMSZ4681-HE3_A-18	-	RFQ	9064	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ4681-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 1 v						2.4 v
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vs-2enh01-m3/85a	0.0743	RFQ	6711	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	2enh01	기준		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 2 a	28 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
RGF1BHE3/67A	-	RFQ	7081	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	RGF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
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VBT3045CHM3/i	-	RFQ	5680	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VBT3045	Schottky		TO-263AB	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT03D27-TR	-	RFQ	4409	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT03	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7.04%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	BZT03		1.3 w	SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	25,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 20 v						27 v	15 옴
v10p22Chm3/h	0.4950	RFQ	9172	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-V10P22CHM3/HTR	귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	3.2A	930 MV @ 5 a		100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5252C-E3-18	0.0433	RFQ	2436	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5252		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 18 v						24 v	33 옴
PLZ4V3C-G3/H	0.2800	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3.04%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz4v3		960 MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.44 v	40
1N5818-E3/54	0.4200	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5239B-E3-08	0.2700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5239		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
DZ23C2V7-HE3-08	0.0436	RFQ	1261	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통													2.7 v	83 옴
PLZ18C-HG3_A/H	0.3600	RFQ	3667	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	150 ° C	표면 표면	DO-219AC	plz18		500MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		200 na @ 13 v						17.88 v	23 옴
MMSZ5253C-HE3-08	0.0454	RFQ	5035	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5253		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 19 v						25 v	35 옴
EGP10AE-E3/54	-	RFQ	5116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	egp10ae	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)		112-EGP10AE-E3/54TR	귀 99	8541.10.0080	1,100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1MHz
FESB16FT-E3/45	0.9504	RFQ	9311	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	FESB16	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.3 v @ 16 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
ZM4752A-GS18	0.3900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZM4752		1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 25.1 v						33 v	45 옴
VS-20CTQ035STRL-M3	0.9298	RFQ	4624	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20ctq035	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	10A	640 mV @ 10 a		2 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZG03B47-HM3-08	0.2310	RFQ	7561	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03B47		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 36 v						47 v	45 옴
GLL4740A-E3/97	0.3168	RFQ	8390	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4740		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								10 µa @ 7.6 v						10 v	7 옴
EGP51A-E3/D.	-	RFQ	3371	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	EGP51	기준		Do-201ad	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		960 MV @ 5 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	5a	117pf @ 4v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²