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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-70HF30 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF30 6.8189
RFQ
ECAD 8590 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF30 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HF30 귀 99 8541.10.0080 100 300 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
1N5249C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5249C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5249 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
BZG05C27-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C27-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C27 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 20 v 27 v 30 옴
1N5059TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5059TAP 0.2178
RFQ
ECAD 5756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 1N5059 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.15 V @ 2.5 a 4 µs 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 40pf @ 0V, 1MHz
VS-30CTQ045STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045STRRHM3 1.4476
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
RGL34DHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34DHE3/98 -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) RGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RGL34DHE3_A/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B62-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B62-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B62-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 46 v 62 v 150 옴
1N4001E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001E-E3/73 -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4001 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BYWF29-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWF29-50-E3/45 0.6197
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 bywf29 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
MBRF15H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6714 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF15 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 630 MV @ 7.5 a 50 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
SBLF1040-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF1040-E3/45 -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBLF1040 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 10 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A -
S3AFJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3afj-m3/i 0.4800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 3 a 2.7 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SS10PH9-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10PH9-M3/87A 0.3595
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn ss10ph9 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 880 mV @ 10 a 10 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 270pf @ 4V, 1MHz
AZ23B9V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B9V1-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B9V1 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 7 v 9.1 v 10 옴
BZD17C24P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C24P-E3-18 0.1492
RFQ
ECAD 5091 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C24 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24 v
BZX384C6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
MMBZ5252B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5252B-G3-18 -
RFQ
ECAD 6040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5252 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
MMBZ4717-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4717-G3-18 -
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4717 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 32.6 v 43 v
MBRB1645 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645 -
RFQ
ECAD 9145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB16 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
1N4448W-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448W-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4448 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
ZPY51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY51 탭 0.0545
RFQ
ECAD 2958 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY51 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZPY51TAP 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 38 v 51 v 45 옴
VS-SD1053C22S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1053C22S20L 144.6200
RFQ
ECAD 3039 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD1053 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 2200 v 1.9 v @ 1500 a 2 µs 50 ma @ 2200 v 1050a -
VS-VSKE196/04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE196/04PBF 53.8147
RFQ
ECAD 7476 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak (3) VSKE196 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvske19604pbf 귀 99 8541.10.0080 15 400 v 20 ma @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 195a -
MMSZ4690-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4690-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4690-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v
SML4764HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4764HE3_A/H 0.2253
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4764 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
V15P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15P22HM3/h 1.0230
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V15P22HM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 910 MV @ 15 a 350 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 3.3a 835pf @ 4V, 1MHz
BZG05B5V6-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B5V6-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 9952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.96% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 7 옴
TLZ2V7B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ2V7B-GS08 0.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ2V7 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
MMBZ4695-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4695-E3-18 -
RFQ
ECAD 8556 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4695 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 6.6 v 8.7 v
EGP30FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30FHE3/54 -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP30 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고