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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GI917-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI917-E3/54 -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI917 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
VI20120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120S-M3/4W 0.6072
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI20120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.12 V @ 20 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-30CTQ080-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080-1-M3 0.9194
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30CTQ080 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5240C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5240C 탭 0.0288
RFQ
ECAD 3609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5240 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
VS-C4ZU3006FP-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4ZU3006FP-E3 -
RFQ
ECAD 4114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-94 C4ZU30 기준 to-3pf - 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.87 V @ 30 a 73 ns 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
ESH1PAHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PAHE3/84A -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VIT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045CBP-M3/4W 1.0065
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT2045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-301CNQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301CNQ040PBF 50.4860
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB 301CNQ040 Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs301cnq040pbf 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 150a 900 mV @ 300 a 10 ma @ 40 v 175 ° C (°)
SMAZ5924B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5924B-E3/5A 0.1218
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5924 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
VIT3060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060C-M3/4W 0.7910
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT3060 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 700 mV @ 15 a 1.2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MT350BD16CCB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MT350BD16CCB -
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 VS-MT350 - Rohs3 준수 112-VS-MT350BD16CCB 1
SD241P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD241P-E3/45 1.6387
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SD241 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 470 mV @ 10 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
SS5P10HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P10HM3/86A -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 5 a 15 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 130pf @ 4V, 1MHz
VS-30CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-30CTQ045-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-18TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045HN3 1.0067
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-1N1202RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1202RA -
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1202 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.35 V @ 12 a 2 ma @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
1N4004GPEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPEHE3/73 -
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 IN4004GPEHE3/73 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5232B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5232B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5232 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
V20PWL63C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwl63c-m3/i 0.4133
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-V20PWL63C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 610 mV @ 10 a 180 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
AZ23B3V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B3V6-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 3565 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B3V6 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 3.6 v 95 옴
VS-8DKH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8DKH02HM3/H 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn 8DKH02 기준 flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 4a 960 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
S2A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A/54 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 50 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
SS5P4-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P4-M3/87A 0.6200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 5 a 250 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 280pf @ 4V, 1MHz
SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3/84A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
UG1A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1A-M3/54 0.0997
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UG1 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
S3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3G-E3/9AT 0.4800
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 400 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
VS-10MQ040NTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ040NTRPBF 0.6400
RFQ
ECAD 169 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 10MQ040 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 38pf @ 10V, 1MHz
MB30H45C-61HE3J/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB30H45C-61HE3J/81 -
RFQ
ECAD 2910 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MB30H45 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800
ES3B-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3B-M3/9AT 0.2101
RFQ
ECAD 6055 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
VS-SD1700C45K Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd1700c45k 288.7500
RFQ
ECAD 1544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AC, K-PUK SD1700 기준 DO-200AC, K-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 4500 v 2.11 v @ 4000 a 75 MA @ 4500 v 1875a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고