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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
EGP50GL-005E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50GL-005E3/72 -
RFQ
ECAD 2335 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 테이프 & t (TB) 쓸모없는 EGP50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000
MMSZ4699-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4699-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4699-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 9.1 v 12 v
PTV13B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV13B-E3/84A -
RFQ
ECAD 4365 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV13 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 10 v 14.2 v 10 옴
MMSZ5244C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5244C-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 4981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5244 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
SMZJ3808A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3808A-E3/52 -
RFQ
ECAD 3059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
SMAZ5929B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz5929b-m3/5a 0.1063
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5929 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
FEP16JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep16jthe3/45 -
RFQ
ECAD 2536 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 16A 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27B120P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B120P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B120 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 250 옴
MBRB15H50CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H50CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBRB20100CT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20100CT-E3/8W 1.8400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
GP10B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-E3/73 -
RFQ
ECAD 9833 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253P-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by253 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 600 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
V80170PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V80170PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 V80170 Schottky TO-3PW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 40a 910 MV @ 40 a 600 µa @ 170 v -40 ° C ~ 175 ° C
SS10P2CLHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P2CLHM3/87A -
RFQ
ECAD 2702 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P2 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 5a 520 MV @ 5 a 850 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
V10DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm100chm3/i 1.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm100 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 790 MV @ 5 a 100 @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-32CTQ030SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030SHM3 1.2553
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS8P3CHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3CHM3/87A -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 4a 580 mV @ 4 a 300 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5254B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5254B-E3-08 -
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5254 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
SS10P3CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3CHM3/86A -
RFQ
ECAD 4681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 530 mv @ 5 a 550 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
GI2402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2402-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GI2402 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 975 MV @ 8 a 35 ns 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
US1KHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1KHE3/61T -
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
VS-3EJU06HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJU06HM3/6B 0.1485
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 3EJU06 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 3 a 50 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZW03D82-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D82-TAP -
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 59 v 82 v 65 옴
BYM13-60-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM13-60-E3/96 0.5300
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF bym13 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
VS-301URA180 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301URA180 -
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 301URA180 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS301URA180 귀 99 8541.10.0080 12 1800 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
EGP20FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20FHE3/54 -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
1N4937E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937E-E3/54 0.1079
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4703-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4703-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4703-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 12.1 v 16 v
VS-20CTQ150STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150STRL-M3 1.5800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
GI917-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI917-E3/54 -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI917 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고