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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS5P10HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P10HM3/86A -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 5 a 15 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 130pf @ 4V, 1MHz
SS1H10-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10-M3/5AT 0.1061
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS1H10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 860 mV @ 2 a 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZW03D82-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D82-TAP -
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 59 v 82 v 65 옴
VS-30CTQ080-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080-1-M3 0.9194
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30CTQ080 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4702-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4702-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4702 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 11.4 v 15 v
BAS285-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS285-GS08 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS285 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2.3 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
EGP20FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20FHE3/54 -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
V10DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm100chm3/i 1.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm100 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 790 MV @ 5 a 100 @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
S2A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A/54 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 50 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
VS-32CTQ030SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030SHM3 1.2553
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-C4ZU3006FP-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4ZU3006FP-E3 -
RFQ
ECAD 4114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-94 C4ZU30 기준 to-3pf - 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.87 V @ 30 a 73 ns 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-MT350BD16CCB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MT350BD16CCB -
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 VS-MT350 - Rohs3 준수 112-VS-MT350BD16CCB 1
US1KHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1KHE3/61T -
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBRB760HE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB760HE3_B/P 0.6765
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB760 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750MV @ 7.5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
VS-20CTQ150STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150STRL-M3 1.5800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
GI917-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI917-E3/54 -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI917 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZM55C22-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C22-TR3 0.0368
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C22 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 16 v 22 v 220 옴
SS3P3HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3/84A 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
BYG21K-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21K-E3/TR 0.4100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VI20120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120S-M3/4W 0.6072
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI20120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.12 V @ 20 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-301CNQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301CNQ040PBF 50.4860
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB 301CNQ040 Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs301cnq040pbf 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 150a 900 mV @ 300 a 10 ma @ 40 v 175 ° C (°)
BZD27C43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C43P-HE3-08 0.1536
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C43 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
GI2402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2402-E3/45 0.8186
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GI2402 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 975 MV @ 8 a 35 ns 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
SS26-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-E3/5BT 0.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
SA2J-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2J-E3/5AT 0.3900
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
RGP10D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-E3/53 -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
V60200PG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60200pg-e3/45 -
RFQ
ECAD 2067 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 V60200 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 1.48 V @ 30 a 200 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
SD241P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD241P-E3/45 1.6387
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SD241 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 470 mV @ 10 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
VIT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2045CBP-M3/4W 1.0065
RFQ
ECAD 2191 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT2045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-3EJU06HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJU06HM3/6B 0.1485
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 3EJU06 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 3 a 50 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고