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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SE40PJ-M3/86A	0.2228	RFQ	8518	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SE40	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		짐		600 v		920 MV @ 2 a	2.2 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	28pf @ 4V, 1MHz
gp10yhm3/54	-	RFQ	7989	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐		1600 v		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
TZM5244F-GS18	-	RFQ	8363	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5244		500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v				14 v	600 옴
BZX584C12-VG-08	-	RFQ	2345	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX584C-VG	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 8 v				12 v	25 옴
AS1PJ-M3/84A	0.6500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	AS1	눈사태		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		600 v		1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5A	10.4pf @ 4v, 1MHz
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BZT03C24-TAP	0.6400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT03	컷 컷 (CT)	활동적인	± 5.83%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	BZT03C24		1.3 w	SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 18 v				24 v	15 옴
vx60m60chm3/p	1.2606	RFQ	5214	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	vx60m	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-VX60M60CHM3/p	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	30A	660 mV @ 30 a		600 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
v15k150c-m3/i	0.4320	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-V15K150C-M3/ITR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	3.2A	1.08 V @ 7.5 a		300 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 150 ° C
TLZ7V5-GS08	0.0335	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	tlz7v5		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500						1.5 v @ 200 ma						7.5 v	8 옴
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ugb8jcthe3/81	-	RFQ	2295	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UGB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	4a	1.75 V @ 4 a	50 ns	30 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
nsf8dthe3_b/p	-	RFQ	5295	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭	NSF8	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐		200 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
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smzj3797bhm3/i	-	RFQ	9821	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	smzj37		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,200								5 µa @ 16.7 v				22 v	17.5 옴
BZG05C62-HM3-18	0.1172	RFQ	9418	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C62		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v				62 v	125 옴
VLZ15C-GS18	-	RFQ	6729	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ15		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		40 µa @ 13.6 v				14.72 v	16 옴
RGF1G-1HE3_A/H	-	RFQ	8914	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA		기준		DO-214BA (GF1)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		112-RGF1G-1HE3_A/HTR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
ES1PAHE3/84A	-	RFQ	5017	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	ES1	기준		DO-220AA (SMP)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
31GF4-M3/73	-	RFQ	2116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	31GF4	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	30 ns	20 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SMZG3804B-E3/5B	0.4453	RFQ	2413	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	MPG06,, 방향	SMZG3804		1.5 w	MPG06	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-SMZG3804B-E3/5BTR	귀 99	8541.10.0050	3,200								5 µa @ 32.7 v				43 v	53
AZ23B2V7-G3-08	0.0594	RFQ	6150	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B2V7		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 양극 양극 공통											2.7 v	83 옴
SMAZ5925B-E3/5A	0.1172	RFQ	8003	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	smaz5925		500MW	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 8 v				10 v	5 옴
BZX384C3V9-HE3-08	0.0341	RFQ	2264	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C3V9		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								5 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
NSB8MTHE3_B/P	1.4700	RFQ	9776	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	NSB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐		1000 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
SBYV26CHE3/54	-	RFQ	1320	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SBYV26	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.5 V @ 1 a	30 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²