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 | PLZ2V4B-HG3_A/H | 0.3600 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3.95% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz2v4 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 120 µa @ 1 v | 2.53 v | 100 옴 | ||||||||||||||
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