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![]() | BYQ28E-200 HE3/45 | - | ![]() | 8550 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | byq28 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 5a | 1.1 v @ 5 a | 25 ns | 10 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
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![]() | UG18ccthe3/45 | - | ![]() | 6169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | UG18 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 18a | 1.1 v @ 9 a | 30 ns | 10 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
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![]() | BZT52C20-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C20 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 50 옴 | ||||||||||||
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MMBZ4691-G3-08 | - | ![]() | 8941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4691 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µa @ 5 v | 6.2 v | ||||||||||||||
![]() | BYV27-100 7 | 0.7400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYV27 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.07 V @ 3 a | 25 ns | 1 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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