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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX384C3V6-G3-08	0.2900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C3V6		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		5 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
tzx4v7a-tr	0.2400	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX4V7		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	100 옴
MMSZ4697-E3-08	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	SOD-123	MMSZ4697		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		1 µa @ 7.6 v				10 v
BY229B-600-E3/45	-	RFQ	1978	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	by229	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.85 V @ 20 a	145 ns	10 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
ESH1PD-E3/85A	-	RFQ	7998	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	ESH1	기준		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
vs-st223c08cfl0	75.7550	RFQ	6701	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, A-PUK	ST223			TO-200AB, A-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			600 MA	800 v	745 a	3 v	5850A, 6130A	200 MA	1.58 v	390 a	40 MA	표준 표준
DZ23C5V6-G3-08	0.0483	RFQ	5646	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통																	100 na @ 1 v				5.6 v	40
NS8AT-E3/45	0.4259	RFQ	6503	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	NS8	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		짐												50 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
BYG23M-E3/TR	0.4400	RFQ	479	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	BYG23	눈사태		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
SS5P4HM3_A/I	0.6500	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS5P4	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		520 MV @ 5 a		250 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BZD27C36P-M-18	-	RFQ	6738	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C36		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v				36 v	40
BZG05C6V2-M3-08	0.3900	RFQ	8599	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C6V2		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 3 v				6.2 v	4 옴
RS2G-E3/52T	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2G	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
BZX55C13-TR	0.2300	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C13		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 10 v				13 v	26 옴
S2GHM3_A/I	0.1021	RFQ	3747	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2G	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-S2GHM3_A/ITR	귀 99	8541.10.0080	3,200		짐												400 v		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	16pf @ 4V, 1MHz
1N5818-E3/53	0.1427	RFQ	7062	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		875 MV @ 3.1 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
S4PBHM3_B/I	-	RFQ	3239	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	S4PB	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드				112-S4PBHM3_B/ITR	귀 99	8541.10.0080	1		짐												100 v		1.1 v @ 4 a	2.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	30pf @ 4V, 1MHz
BZX55A27-TAP	-	RFQ	9217	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 20 v				27 v	80 옴
SML4754A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4754		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																		5 µa @ 29.7 v				39 v	60 옴
AZ23B6V2-HE3_A-08	-	RFQ	1329	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-AZ23B6V2-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통																	3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
tzx5v1c-tap	0.2300	RFQ	35	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	컷 컷 (CT)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX5V1		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	100 옴
VS-85HFL80S05	14.2174	RFQ	9005	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HFL80	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												800 v		1.75 V @ 266.9 a	500 ns	100 µa @ 800 v	-40 ° C ~ 125 ° C	85A	-
TVR10D-E3/54	-	RFQ	8734	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	TVR10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐												200 v			300 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ZMY33-GS08	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZMY33		1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		500 na @ 25 v				33 v	20 옴
BZD27C36P-E3-18	0.1492	RFQ	5800	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C36		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v				36 v	40
BZX55C9V1-TR	0.2300	RFQ	832	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C9V1		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.8 v				9.1 v	10 옴
VS-30CTQ045SPBF	-	RFQ	5072	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	30CTQ045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	15a	620 MV @ 15 a		2 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-16RIA120S90	19.8198	RFQ	2325	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	16RI120			TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS16RIA120S90	귀 99	8541.30.0080	100			130 MA	1.2kV	35 a	2 v	285A, 300A	60 MA	1.75 v	16 a	10 MA	표준 표준
BZD27C130P-M3-08	0.1733	RFQ	3055	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C130		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 100 v				130 v	300 옴
1N4001-E3/54	0.3700	RFQ	21	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐												50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²