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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-VS19EDR20L	-	RFQ	7501	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로					vs19				-				112-VS-VS19EDR20L			1
EGP31A-E3/c	0.8118	RFQ	7599	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	EGP31	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		950 MV @ 3 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	117pf @ 4v, 1MHz
vs-20ets08strrpbf	-	RFQ	7643	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20ets08	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs20ets08strrpbf	귀 99	8541.10.0080	800		짐												800 v		1.1 v @ 20 a		100 µa @ 800 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
19TQ015S	-	RFQ	4140	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	19TQ015	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												15 v		360 MV @ 19 a		1.5 ma @ 15 v	-55 ° C ~ 125 ° C	19a	-
SS2P5-M3/84A	0.4100	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS2P5	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		700 mv @ 2 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1MHz
BZT03C130-TR	0.6000	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT03	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.54%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	BZT03C130		1.3 w	SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000																1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 100 v				130 v	300 옴
BZX584C12-G3-08	0.3000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX584C	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000																		100 na @ 8 v				12 v	10 옴
1N4385GP-E3/54	0.6300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N4385	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐												600 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ES2GHE3/52T	-	RFQ	2960	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
GP20G-E3/54	-	RFQ	1950	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	GP20	기준		GP20	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		짐												400 v		1.1 v @ 2 a	5 µs	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZT52C10-E3-18	0.2700	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C10		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 7.5 v				10 v	5.2 옴
TLZ11C-GS18	0.0335	RFQ	6147	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ11		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		40 na @ 10.28 v				11 v	10 옴
GLL4740-E3/96	0.3053	RFQ	4025	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4740		1 W.	Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		10 µa @ 7.6 v				10 v	7 옴
v30dm63Clhm3/i	2.2200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	컷 컷 (CT)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V30DM63	Schottky		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	15a	660 mV @ 15 a		35 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
SS10P3CHM3_A/H	0.4198	RFQ	9403	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS10P3	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	30 v	5a	530 mv @ 5 a		550 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C160P-HE3-08	0.4400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C160		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 120 v				160 v	350 옴
BZX84C51-G3-18	0.0353	RFQ	1245	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C51		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 35.7 v				51 v	180 옴
v12pm6hm3/i	0.3581	RFQ	7803	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v12pm6	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		640 mV @ 12 a		1 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C	12a	2050pf @ 4V, 1MHz
ZMY8V2-GS18	0.4200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZMY8V2		1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		500 na @ 6 v				8.2 v	2 옴
SSA33L-M3/61T	0.1216	RFQ	5571	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SSA33	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		450 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZD27C5V6P-E3-08	0.5300	RFQ	6296	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C5V6		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v				5.6 v	4 옴
VS-ST330S16M1PBF	243.6283	RFQ	6871	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ae, to-118-4, 스터드	ST330			TO-209AE (TO-118)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST330S16M1PBF	귀 99	8541.30.0080	6			600 MA	1.6kV	520 a	3 v	7570A, 7920A	200 MA	1.52 v	330 a	50 MA	표준 표준
SMZJ3800B-M3/52	0.1304	RFQ	7054	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMZJ3800		1.5 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750																		5 µa @ 22.8 v				30 v	26 옴
AZ23B4V7-HE3-18	0.0534	RFQ	5938	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B4V7		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통																					4.7 v	78 옴
BYM12-300-E3/97	0.1487	RFQ	4874	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	BYM12	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												300 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	14pf @ 4V, 1MHz
sml4750ahe3/5a	-	RFQ	9436	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4750		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																		5 µa @ 20.6 v				27 v	35 옴
smzj3790bhm3_a/h	0.1815	RFQ	4105	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMZJ3790		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750																		10 µa @ 8.4 v				11 v	6 옴
sml4749ahe3/5a	-	RFQ	3018	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4749		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																		5 µa @ 18.2 v				24 v	25 옴
SMBZ5928B-E3/52	0.1676	RFQ	9674	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBZ5928		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750																1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.9 v				13 v	7 옴
SML4742HE3_A/I	0.1434	RFQ	2454	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4742		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																		5 µa @ 9.1 v				12 v	9 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²