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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | rs1flj-m3/h | 0.3400 |  | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-12TTS08SLHM3 | 2.0100 | | 211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 12TTS08 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 800 | 30 MA | 800 v | 12.5 a | 1 v | 110A @ 50Hz | 15 MA | 1.2 v | 8 a | 5 MA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | GP02-25HE3/73 | - | | 3496 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP02 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 짐 | 2500 v | 3 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 2500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 250ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZM55C5V1-TR | 0.2800 | | 8645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55C5V1 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 550 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RMPG06G-E3/73 | 0.4300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | RMPG06 | 기준 | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| UF4007-M3/54 | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | UF4007 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | ES2G-E3/52T | 0.4300 | | 128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ES2 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.1 v @ 2 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSIB2560NL-01M3/p | - | | 8795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2560 | 기준 | GSIB-5 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 600 v | 3.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV201-GS18 | 0.0281 | | 9599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BAV201 | 기준 | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 v @ 100 ma | 50 ns | 100 na @ 100 v | 150 ° C (°) | 250ma | 1.5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLZ30C-GS08 | 0.2500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ30 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 40 NA @ 26.9 v | 30 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-50MT060WHTAPBF | - | | 2346 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 12MTP 모듈 | 50MT060 | 658 w | 기준 | MTP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS50MT060WHTAPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | - | 600 v | 114 a | 3.2V @ 15V, 100A | 400 µA | 아니요 | 7.1 NF @ 30 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | smzj3801bhe3_a/h | 0.1597 | | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3801 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 25.1 v | 33 v | 33 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-MUBR2020CT-1-M3 | 1.2300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | murb2020 | 기준 | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 10A | 1.15 V @ 16 a | 35 ns | 15 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-161MT180C | 69.0800 | | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | VS-161MT | 기준 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-161MT180C | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 1.85 V @ 300 a | 12 ma @ 1800 v | 257 a | 3 단계 | 1.8 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS2PH9HM3/85A | - | | 4493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2PH9 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 800 mV @ 2 a | 1 µa @ 90 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKD320-20PBF | 202.6750 | | 7177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKD320 | 기준 | Magn-A-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvskd32020pbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 2000 v | 160a | 50 ma @ 2000 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT46W-G3-08 | 0.4000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | BAT46 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 100 v | 1 V @ 250 mA | 5 µa @ 75 v | 125 ° C (°) | 150ma | 6pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSC54-M3/57T | 0.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SSC54 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 850 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 490 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | fese8at-e3/45 | - | | 3975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | fese8 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SB60L-5752E3/45 | - | | 4669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | G2SB60 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 750 ma | 5 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4004GP-M3/73 | - | | 8701 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4004 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| smzj3809ahe3/52 | - | | 1681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj38 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 120 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6482-E3/96 | 0.4500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N6482 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-80-7031 | - | | 5259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 80-7031 | - | 112-VS-80-7031 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSIB660N-M3/45 | 1.5423 | | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB660 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 MV @ 3 a | 10 µa @ 600 v | 6 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGP10A-E3/73 | - | | 8032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBZ5240B-G3-08 | - | | 8077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5240 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKC91/10 | 41.7400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | vskc91 | 기준 | Add-a-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1000 v | 50a | 10 ma @ 1000 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TZMB4V3-GS18 | 0.0411 | | 6353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmb4v3 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ESH2CHE3/52T | - | | 5734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ESH2 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 930 MV @ 2 a | 35 ns | 2 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - |
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