RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
10TQ045STRR	-	RFQ	8340	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10TQ045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v		570 mV @ 10 a		2 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
ESH3CHE3/9AT	-	RFQ	6066	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
10TTS08	-	RFQ	5716	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3	10TTS08			TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000		30 MA	800 v	10 a	1 v	140A @ 50Hz	15 MA	1.15 v	6.5 a	50 µA	표준 표준
VS-ST083S08PFM0P	91.9552	RFQ	7048	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST083			TO-209AC (TO-94)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst083s08pfm0p	귀 99	8541.30.0080	25		600 MA	800 v	135 a	3 v	2060a, 2160a	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
BZT03D10-TAP	-	RFQ	1892	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT03	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 6%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOD-57,, 방향	BZT03		1.3 w	SOD-57	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25,000															1.2 v @ 500 ma		10 µa @ 7.5 v				10 v	4 옴
MMSZ4697-E3-08	0.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	SOD-123	MMSZ4697		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1 µa @ 7.6 v				10 v
TZMC22-M-08	0.0324	RFQ	6538	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZMC22		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500															1.5 v @ 200 ma		100 na @ 16 v				22 v	55 옴
SX067H100S4pt	-	RFQ	9491	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	주사위	SX067	Schottky		주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		900 mV @ 8 a		2 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C
RGP02-20E-805E3/53	-	RFQ	4402	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP02	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												2000 v		1.8 v @ 100 ma	300 ns	5 µa @ 2000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
VS-ST330C04C0	87.4283	RFQ	6893	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST330			TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12		600 MA	400 v	1420 a	3 v	9000A, 9420A	200 MA	1.96 v	720 a	50 MA	표준 표준
UH4PCC-M3/87A	-	RFQ	6119	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	uh4	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	150 v	2A	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N4741A-TAP	0.3600	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	컷 컷 (CT)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4741		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v				11 v	8 옴
VS-70HFR160	15.3100	RFQ	6106	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	70HFR160	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐												1600 v		1.46 V @ 220 a		4.5 ma @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	70A	-
GI854-E3/54	-	RFQ	4390	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	GI854	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
BZT52B11-HE3-08	0.0436	RFQ	3416	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B11		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 8.5 v				11 v	6 옴
VS-ST230S12P0V	147.2467	RFQ	8475	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	ST230			TO-209AB (TO-93)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12		600 MA	1.2kV	360 a	3 v	5700A, 5970A	150 MA	1.55 v	230 a	30 MA	표준 표준
V40DM100C-M3/I	1.9000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V40DM100	Schottky		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	20A	770 MV @ 20 a		700 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-80PF40W	4.7892	RFQ	1583	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	80pf40	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs80pf40w	귀 99	8541.10.0080	100	짐												400 v		1.4 V @ 220 a			-55 ° C ~ 180 ° C	80a	-
VS-87HF100	9.4189	RFQ	6884	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	87HF100	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS87HF100	귀 99	8541.10.0080	100	짐												400 v		1.2 v @ 267 a			-65 ° C ~ 180 ° C	85A	-
SD103BW-G3-18	0.0612	RFQ	2482	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
BZX55C12-TAP	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	컷 컷 (CT)	활동적인	-	175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C12		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		100 na @ 9.1 v				12 v	20 옴
VLZ4V7-GS18	-	RFQ	6533	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ4V7		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 2 v				4.7 v	25 옴
VS-E5th3012-M3	2.0600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	E5th3012	기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-VS-E5th3012-M3	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1200 v		2.5 V @ 30 a	58 ns	50 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
Z4KE130A-E3/73	-	RFQ	3164	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	Z4KE130		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Z4KE130AE373	귀 99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 500 MA		500 NA @ 99.2 v				130 v	800 옴
BZT52B22-G3-08	0.0483	RFQ	5829	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B22		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 17 v				22 v	25 옴
VF20120SG-E3/45	-	RFQ	4337	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	VF20120	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												120 v		1.33 V @ 20 a		250 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-16TTS12STRPBF	-	RFQ	8178	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16TTS12			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs16tts12strrpbf	귀 99	8541.30.0080	800		150 MA	1.2kV	16 a	2 v	170A @ 50Hz	60 MA	1.4 v	10 a	10 MA	표준 표준
1N4001GP-E3/54	0.4900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4001	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐												50 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
EGP30CHE3/54	-	RFQ	6748	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	EGP30	기준		GP20	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v		950 MV @ 3 a	50 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
uh4pdchm3_a/i	-	RFQ	3727	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	uh4	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	2A	1.05 V @ 2 a	24 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²