RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27B200P-HE3-08	0.1238	RFQ	2240	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B200		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v					200 v	500 옴
AZ23B8V2-E3-08	0.0509	RFQ	7143	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B8V2		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 양극 양극 공통														100 na @ 6 v					8.2 v	7 옴
vs-10etf02strl-m3	0.9682	RFQ	5059	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10etf02	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
IRKL162/14	-	RFQ	6003	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 2)	IRKL162			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRKL162/14	귀 99	8541.30.0080	3			200 MA	1.4kV	355 a	2.5 v	4870A, 5100A	150 MA	160 a										1 scr, 1 다이오드
RS1B-E3/5AT	0.4700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS1B	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TLZ13C-GS18	0.0335	RFQ	6976	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ13		500MW		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		40 NA @ 12.3 v					13 v	14 옴
BZX384B43-E3-08	0.0360	RFQ	9597	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B43		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															50 NA @ 30.1 v					43 v	150 옴
BZD17C18P-E3-08	0.1475	RFQ	2620	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v					18 v
1N4007GPEHE3/73	-	RFQ	5004	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	IN4007GPEHE3/73	귀 99	8541.10.0080	3,000		짐									1000 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
BZT52B56-E3-08	0.0415	RFQ	5229	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B56		410 MW		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000																				56 v	135 옴
rgp10me-e3/91	-	RFQ	1516	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1000 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
10ets08strl	-	RFQ	7533	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10ets08	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		짐									800 v		1.1 v @ 10 a		50 µa @ 800 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
tzx5v6d-tr	0.2300	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX5V6		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v					5.6 v	40
VLZ5V6B-GS18	-	RFQ	6013	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ5V6		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 2 v					5.59 v	13 옴
BZX84C3V3-E3-18	0.2300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V3		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															5 µa @ 1 v					3.3 v	95 옴
RS1B/11	-	RFQ	1614	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	Rs1	기준			DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,600		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TZM5262F-GS08	-	RFQ	8579	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5262		500MW		SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 39 v					51 v	1100 옴
HFA16TA60CSTRL	-	RFQ	6481	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	HFA16	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	600 v	8A (DC)	1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
RGP10D-M3/54	-	RFQ	2330	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP10	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-SD403C08S10C	60.4217	RFQ	7220	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			클램프 클램프	DO-200AA, A-PUK	SD403	기준			DO-200AA, A-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12		짐									800 v		1.83 V @ 1350 a	1 µs	35 ma @ 800 v		430a	-
TZQ5249B-GS18	0.0303	RFQ	6027	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	TZQ5249		500MW		SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		100 na @ 14 v					19 v	23 옴
DZ23C27-HE3_A-08	-	RFQ	6908	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, DZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW		SOT-23-3	다운로드				112-DZ23C27-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통														100 na @ 20 v					27 v	30 옴
BYVB32-150HE3_A/I	0.9405	RFQ	2827	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BYVB32	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1 음극 음극 공통	150 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C
vs-8ewx06fntr-m3	1.0600	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ewx06	기준			D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									600 v		3 V @ 8 a	17 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
1N5822-E3/51	-	RFQ	4689	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5822	Schottky			Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									40 v		525 mV @ 3 a		2 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BZX84B47-E3-18	0.0324	RFQ	6626	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B47		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															50 NA @ 32.9 v					47 v	170 옴
BZX55C2V4-TR	0.2400	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C2V4		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v					2.4 v	85 옴
1N4004E-E3/54	0.4800	RFQ	21	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4004	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		짐									400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS5P3-M3/87A	0.2279	RFQ	7793	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS5P3	Schottky			TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									30 v		520 MV @ 5 a		250 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	280pf @ 4V, 1MHz
GDZ18B-G3-08	0.0445	RFQ	1180	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ18		200 MW		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000															100 na @ 13 v					18 v	65 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²