SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-8ETX06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06-1-M3 0.5277
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8etx06 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-40HFR60M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR60M 15.5773
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR60 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HFR60M 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.3 v @ 125 a -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
RS3K-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3K-M3/9AT 0.1881
RFQ
ECAD 9255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2.5 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
BYM07-400HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-400HE3_A/I -
RFQ
ECAD 8576 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) BYM07 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 BYM07-400HE3_B/I 귀 99 8541.10.0070 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.35 V @ 500 MA 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7pf @ 4V, 1MHz
MURS120-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS120-E3/5BT 0.4500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS120 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZX84B62-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B62-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B62 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
MMBZ4687-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4687-G3-08 -
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4687 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 4 µa @ 2 v 4.3 v
BZT52B13-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B13-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B13 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 13 v 9 옴
SML4754A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4754A-E3/61 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4754 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
MMBZ5262C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5262C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5262 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
VS-20CTQ040STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040STRL-M3 0.9298
RFQ
ECAD 2517 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 640 mV @ 10 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
AZ23C5V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C5V6-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C5V6 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 1 v 5.6 v 40
MMBZ5236B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5236B-G3-18 -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
EGP10AHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AHM3/54 -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
ZMM5267B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5267B-13 -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA ZMM52 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) ZMM5267B-13GI 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
VS-MBR2080CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2080ct-n3 -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fntrr-m3 0.4981
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewl06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
GLL4743-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4743-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4743 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
VLZ33D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ33D-GS08 -
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ33 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 29.9 v 32.3 v 65 옴
VS-HFA04TB60STRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa04tb60strp -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA04 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 V @ 4 a 42 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a -
S1M-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1M-M3/61T 0.3400
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1M 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
BYG24D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24D-E3/TR 0.5300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
V30100SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SG-M3/4W 0.7031
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v30100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 30 a 350 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
AR1FK-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1FK-M3/I 0.0889
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 눈사태 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-ar1fk-m3/itr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.6 V @ 1 a 120 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9.3pf @ 4V, 1MHz
VSKY20301608-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vsky20301608-G4-08 0.3600
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) vsky20301608 Schottky CLP1608-2L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 530 mv @ 2 a 150 µa @ 30 v 125 ° C (°) 2A 375pf @ 0V, 1MHz
SS12P2L-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P2L-M3/87A 0.4534
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS12P2 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 560 mV @ 12 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 930pf @ 4V, 1MHz
PLZ39C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ39C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz39 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
RS1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1khe3_a/i 0.1022
RFQ
ECAD 4438 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZX84C20-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C20-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
MBRB25H35CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H35CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 3162 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 640 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고