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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-8ETX06-1-M3 | 0.5277 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 8etx06 | 기준 | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-40HFR60M | 15.5773 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 40HFR60 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS40HFR60M | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 600 v | 1.3 v @ 125 a | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | |||||||||||
![]() | RS3K-M3/9AT | 0.1881 | ![]() | 9255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | RS3K | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 V @ 2.5 a | 500 ns | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYM07-400HE3_A/I | - | ![]() | 8576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | BYM07 | 기준 | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | BYM07-400HE3_B/I | 귀 99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.35 V @ 500 MA | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MURS120-E3/5BT | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MURS120 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||
BZX84B62-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 4961 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B62 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 215 옴 | ||||||||||||||
MMBZ4687-G3-08 | - | ![]() | 5080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4687 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 4 µa @ 2 v | 4.3 v | |||||||||||||||
![]() | BZT52B13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 9 옴 | |||||||||||||
![]() | SML4754A-E3/61 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4754 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | |||||||||||||
MMBZ5262C-HE3-18 | - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5262 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 39 v | 51 v | 125 옴 | ||||||||||||||
![]() | VS-20CTQ040STRL-M3 | 0.9298 | ![]() | 2517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20ctq040 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 10A | 640 mV @ 10 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
AZ23C5V6-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C5V6 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 | |||||||||||||
MMBZ5236B-G3-18 | - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 | ||||||||||||||
![]() | EGP10AHM3/54 | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | ZMM5267B-13 | - | ![]() | 1091 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | ZMM52 | 500MW | 미니 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | ZMM5267B-13GI | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 | ||||||||||||
![]() | vs-mbr2080ct-n3 | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR20 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 80 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | vs-8ewl06fntrr-m3 | 0.4981 | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ewl06 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8ewl06fntrrm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||
![]() | GLL4743-E3/96 | 0.3053 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | GLL4743 | 1 W. | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 10 옴 | |||||||||||||
![]() | VLZ33D-GS08 | - | ![]() | 2395 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ33 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 40 µa @ 29.9 v | 32.3 v | 65 옴 | ||||||||||||
![]() | vs-hfa04tb60strp | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HFA04 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.8 V @ 4 a | 42 ns | 3 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 4a | - | ||||||||||
![]() | S1M-M3/61T | 0.3400 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1M | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYG24D-E3/TR | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYG24 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
![]() | V30100SG-M3/4W | 0.7031 | ![]() | 7512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | v30100 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 30 a | 350 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | AR1FK-M3/I | 0.0889 | ![]() | 7824 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | 눈사태 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-ar1fk-m3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.6 V @ 1 a | 120 ns | 1 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9.3pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | vsky20301608-G4-08 | 0.3600 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | vsky20301608 | Schottky | CLP1608-2L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 530 mv @ 2 a | 150 µa @ 30 v | 125 ° C (°) | 2A | 375pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS12P2L-M3/87A | 0.4534 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS12P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 560 mV @ 12 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 12a | 930pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | PLZ39C-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-219AC | plz39 | 500MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 30 v | 39 v | 85 옴 | ||||||||||||
![]() | rs1khe3_a/i | 0.1022 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RS1K | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BZX84C20-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C20 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 옴 | ||||||||||||||
![]() | MBRB25H35CT-E3/81 | - | ![]() | 3162 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB25 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 175 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
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