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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SSA33L-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA33L-M3/5AT 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSA33 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
TLZ10C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ10C-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ10 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 9.22 v 10 v 8 옴
TLZ10D-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ10D-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 5048 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ10 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 9.44 v 10 v 8 옴
TLZ15A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ15A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ15 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 12.8 v 15 v 16 옴
TLZ20-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ20-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ20 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 20 v 28 옴
SD101A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 SD101 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 50 v 125 ° C (°) 30ma 2pf @ 0V, 1MHz
TZX10A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx10a a 0.2300
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX10 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 7.5 v 10 v 25 옴
TZX11A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx11a a 0.0287
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX11 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 8.2 v 11 v 25 옴
TZX11B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx11b b 0.0287
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX11 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 8.2 v 11 v 25 옴
TZX12D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX12D-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX12 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.5 v 12 v 35 옴
TZX13C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX13C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX13 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 10 v 13 v 35 옴
TZX22C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX22C-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX22 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 17 v 22 v 65 옴
TZX24X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX24X-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX24 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 19 v 24 v 70 옴
TZX27B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX27 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 21 v 27 v 80 옴
TZX27C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX27 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-TZX27C-TAPCT 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 21 v 27 v 80 옴
TZX2V4A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx2v4a-tap 0.2300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX2V4 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 2.4 v 100 옴
TZX30B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx30b b 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX30 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 23 v 30 v 100 옴
TZX30X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx30x x 0.0273
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX30 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 23 v 30 v 100 옴
TZX33C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX33C-TAP 0.0285
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX33 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 25 v 33 v 120 옴
TZX36C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX36C-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX36 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 140 옴
TZX3V0B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V0B 탭 0.0290
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX3V0 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 3 v 100 옴
TZX4V3A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx4v3a-tap 0.0290
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX4V3 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.3 v 100 옴
TZX6V2A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx6v2a- 탭 0.0287
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 tzx6v2 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
TZX6V8B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx6v8b 탭 0.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 컷 컷 (CT) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 tzx6v8 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 3.5 v 6.8 v 15 옴
TZX7V5D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx7v5d- 탭 0.0287
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX7V5 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
SML4738AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4738ahe3/5a -
RFQ
ECAD 7546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4738 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
SD101CW-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CW-G3-18 0.0577
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 900 mv @ 15 ma 1 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.2pf @ 0v, 1MHz
TZMB5V6-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB5V6-GS18 0.3100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB5V6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
TZMC10GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC10GS18 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC10 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
TZMC13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC13-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC13 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고