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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-60MT160KPBF | 69.1800 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 60MT160 | 기준 | MT-K | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 60 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||||||||||||||
 | GBU6JL-5303E3/45 | - | | 6488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 3.8 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKT500-16PBF | 594.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Super Magn-A-Pak | VSKT500 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvskt50016pbf | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 MA | 1.6kV | 785 a | 3 v | 17800a, 18700a | 200 MA | 500 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||
| VS-VSKU71/14 | 43.8110 | | 6472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | vsku71 | 일반적인 일반적인 - 음극 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKU7114 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 MA | 1.4kV | 115 a | 2.5 v | 1300a, 1360a | 150 MA | 75 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||
| VS-VSKU91/04 | 44.0280 | | 6377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | vsku91 | 일반적인 일반적인 - 음극 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKU9104 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 MA | 400 v | 150 a | 2.5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 95 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||
| VS-92MT140KPBF | 96.1787 | | 4058 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 92MT140 | 기준 | MT-K | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS92MT140KPBF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | 3 단계 | 1.4kV | ||||||||||||||||||||||
| VS-113MT120KPBF | 106.1427 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 113mt120 | 기준 | MT-K | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs113mt120kpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 3 단계 | 1.2kV | ||||||||||||||||||||||
 | DF02M-E3/45 | 0.7800 | | 468 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) | DF02 | 기준 | DFM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 200 v | 1 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||
 | B380C1500G-E4/51 | 0.8200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, wog | B380 | 기준 | wog | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 a | 10 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | KBP06M-M4/51 | - | | 4051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | KBP06 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||
| G2SBA20-M3/51 | - | | 2798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | G2SBA20 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 ma | 5 µa @ 200 v | 1.5 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||
| GBU4JL-6088E3/45 | - | | 4767 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU4 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 v | 3 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||
 | U8CT-E3/4W | - | | 6020 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | U8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||
 | gbu8g-e3/51 | 2.0600 | | 2302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 400 v | 3.9 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||||||
 | BYT52J-TAP | 0.2871 | | 5325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYT52 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | - | |||||||||||||||||||
 | DZ23C15-E3-18 | 0.0415 | | 2437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||
 | DFL1501S-E3/77 | 0.3298 | | 5289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | DFL1501 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 100 v | 1.5 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||
| GBU8JL-5300E3/51 | - | | 4474 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 600 v | 3.9 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||
| GBL08L-5701E3/51 | - | | 4223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | GBL08 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 800 v | 3 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||
 | BU1006A-M3/45 | 2.2500 | | 799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, bu | BU1006 | 기준 | Isocink+™ BU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 5 a | 10 µa @ 600 v | 10 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | BU15105S-M3/45 | - | | 5374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, BU-5S | BU15105 | 기준 | ISOCINK+™ BU-5S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 7.5 a | 5 µa @ 1000 v | 15 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||
| GBU8KL-5301E3/45 | - | | 2241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 800 v | 3.9 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||
| 2KBP08M-M4/51 | - | | 9270 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 2KBP08 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 800 v | 2 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||||||||
 | BA159DGPHE3/73 | - | | 5307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BA159 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | GBU8D-E3/45 | 1.9700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 200 v | 3.9 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||
| GBU4B-E3/45 | 1.0296 | | 4502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU4 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 100 v | 3 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||
| gbu8ml-7014m3/45 | - | | 7096 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 1000 v | 3.9 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||||||||
| GBU4G-E3/45 | 1.9500 | | 372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU4 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 400 v | 3 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||||||
| GBU6JL-7001M3/45 | - | | 2138 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 3.8 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||
| GBU8JL-5700M3/51 | - | | 1537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 600 v | 3.9 a | 단일 단일 | 600 v |
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