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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V2P6LHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p6lhm3/i 0.0875
RFQ
ECAD 1827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2p6 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-v2p6lhm3/itr 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 2 a 480 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 255pf @ 4V, 1MHz
BZX384C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C30-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 2152 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C30 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZX384B9V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B9V1-HE3-08 0.2800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B9V1 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZG04-200-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-200-M3-08 0.5400
RFQ
ECAD 2052 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-200 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 200 v 240 v
BZX384B7V5-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B7V5-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B7V5 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 1 v 7.5 v 15 옴
BZT52C43-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C43-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C43 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 32 v 43 v 97 옴
BZX384C16-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C16-HE3-18 0.2600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C16 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
VS-MBRD340TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd340trpbf -
RFQ
ECAD 1854 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD3 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
GBU6KL-6441E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6KL-6441E3/51 -
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 5 µa @ 800 v 3.8 a 단일 단일 800 v
BZX384C6V2-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
AZ23B10-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B10-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B10 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
SMZJ3803AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3803AHE3/52 -
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
BZD27B51P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B51P-E3-08 0.1050
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B51 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
SML4757-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4757-E3/61 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4757 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
SS36-61HE3J_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS36-61HE3J_A/I -
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TLZ33A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ33A-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ33 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 28.2 v 33 v 65 옴
V2PL45LHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2pl45lhm3/h 0.4400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2pl45 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 530 mv @ 2 a 300 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 390pf @ 4V, 1MHz
AZ23C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C30-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 3142 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C30 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 22.5 v 30 v 80 옴
V12P10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P10-M3/87A 1.0100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12p10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mV @ 12 a 250 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 12a -
TZM5263C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5263C-GS08 -
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5263 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
EGP20C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20C-E3/73 -
RFQ
ECAD 1374 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKCS301/045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS301/045 -
RFQ
ECAD 9481 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKCS301 Schottky Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VSVSKCS301045 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 45 v 150a 790 mV @ 150 a 10 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-12CTQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ045STRL-M3 1.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZX584C3V3-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V3-HG3-08 0.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX584C 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
V15PM63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm63hm3/i 0.3174
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v15pm63hm3/itr 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 15 a 35 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 4.6a 2700pf @ 4V, 1MHz
UH6PJHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh6pjhm3/87a -
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn UH6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 v @ 6 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
GBU8DL-6903E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8DL-6903E3/51 -
RFQ
ECAD 5324 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 200 v 3.9 a 단일 단일 200 v
BZD27C75P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C75P-M3-18 0.1733
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C75 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 100 옴
BZX384C2V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V7-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 9300 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C2V7 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
2KBP08ML-24E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-24E4/51 -
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP08 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고