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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | v2p6lhm3/i | 0.0875 | ![]() | 1827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | v2p6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v2p6lhm3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 600 mV @ 2 a | 480 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 2A | 255pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX384C30-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C30 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZX384B9V1-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B9V1 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZG04-200-M3-08 | 0.5400 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG04-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG04-200 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 5 µa @ 200 v | 240 v | |||||||||||||||
![]() | BZX384B7V5-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B7V5 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µa @ 1 v | 7.5 v | 15 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZT52C43-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 2760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C43 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 32 v | 43 v | 97 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZX384C16-HE3-18 | 0.2600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C16 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | |||||||||||||||
![]() | vs-mbrd340trpbf | - | ![]() | 1854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MBRD3 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 3 a | 200 µa @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | GBU6KL-6441E3/51 | - | ![]() | 8301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 800 v | 3.8 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||
![]() | BZX384C6V2-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C6V2 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | |||||||||||||||
AZ23B10-G3-08 | 0.0594 | ![]() | 1449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B10 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15 옴 | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3803AHE3/52 | - | ![]() | 7134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj38 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 45 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZD27B51P-E3-08 | 0.1050 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27B51 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 39 v | 51 v | 60 옴 | ||||||||||||||
![]() | SML4757-E3/61 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4757 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | |||||||||||||||
![]() | SS36-61HE3J_A/I | - | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SS36 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 750 mV @ 3 a | 500 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | TLZ33A-GS08 | 0.0335 | ![]() | 7411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ33 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 40 NA @ 28.2 v | 33 v | 65 옴 | ||||||||||||||
![]() | v2pl45lhm3/h | 0.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | v2pl45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 530 mv @ 2 a | 300 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 2A | 390pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
AZ23C30-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C30 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 22.5 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||||||
![]() | V12P10-M3/87A | 1.0100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v12p10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 700 mV @ 12 a | 250 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | TZM5263C-GS08 | - | ![]() | 1290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5263 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 옴 | ||||||||||||||
![]() | EGP20C-E3/73 | - | ![]() | 1374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | EGP20 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-VSKCS301/045 | - | ![]() | 9481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | VSKCS301 | Schottky | Add-a-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | VSVSKCS301045 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 45 v | 150a | 790 mV @ 150 a | 10 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | VS-12CTQ045STRL-M3 | 1.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 12ctq045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 6A | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
BZX584C3V3-HG3-08 | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX584C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 85 옴 | ||||||||||||||||
![]() | v15pm63hm3/i | 0.3174 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-v15pm63hm3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 660 mV @ 15 a | 35 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 4.6a | 2700pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | uh6pjhm3/87a | - | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | UH6 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3 v @ 6 a | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||
![]() | GBU8DL-6903E3/51 | - | ![]() | 5324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 200 v | 3.9 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||
![]() | BZD27C75P-M3-18 | 0.1733 | ![]() | 6193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C75 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 56 v | 75 v | 100 옴 | ||||||||||||||
![]() | BZX384C2V7-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C2V7 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||
![]() | 2KBP08ML-24E4/51 | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 2KBP08 | 기준 | KBPM | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 800 v | 2 a | 단일 단일 | 800 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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