RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (31214)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BY227MGPHE3/54	-	RFQ	1244	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	by227	기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	짐												1250 v		1.5 v @ 5 a	2 µs	5 µa @ 1250 v		2A	-
SS2PH5HM3/85A	0.0908	RFQ	4701	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	SS2PH5	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v		800 mV @ 2 a		2 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	93pf @ 4v, 1MHz
MMSZ4687-E3-18	0.2700	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4687		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	4 µa @ 2 v				4.3 v
vs-30eth06fp-n3	3.0467	RFQ	7026	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	30ETH06	기준		TO-220-2 풀 -2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs30eth06fpn3	귀 99	8541.10.0080	1,000	짐												600 v		2.6 V @ 30 a		50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
UH4PBC-M3/86A	-	RFQ	8333	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	uh4	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	2A	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
se30nj-m3/i	0.4900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면, 마운트 측면	2-vdfn		기준		DFN3820A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	짐												600 v		1.1 v @ 3 a	1.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	19pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKD196/12PBF	66.6933	RFQ	4025	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	int-a-pak	VSKD196	기준		int-a-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskd19612pbf	귀 99	8541.10.0080	15	짐											1 음극 음극 공통	1200 v	97.5A			20 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
MB30H100CThe3_B/P	1.1550	RFQ	9141	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MB30H100	Schottky		TO-263AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	820 MV @ 15 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C
BZX84B5V1-HE3_A-18	0.0498	RFQ	1446	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-BZX84B5V1-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	2 µa @ 2 v				5.1 v	60 옴
BZX84B20-HE3-18	0.0341	RFQ	7675	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX84	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B20		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	50 na @ 14 v				20 v	55 옴
BZX85B18-TAP	0.5500	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	컷 컷 (CT)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85B18		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	500 na @ 13 v				18 v	20 옴
SE8D30J-M3/I	0.4100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드		기준		Slimsmaw (do-221ad)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	짐												600 v		1.1 v @ 3 a	1.2 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	19pf @ 4V, 1MHz
v8k202duhm3/h	0.3663	RFQ	9416	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		flatpak 5x6 (이중)	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-V8K202DUHM3/HTR	귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											2 독립	200 v	1.8a	920 MV @ 4 a		10 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C
TZM5247F-GS18	-	RFQ	4220	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5247		500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 13 v				17 v	600 옴
AU3PG-M3/87A	0.4455	RFQ	9895	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AU3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.9 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.7a	72pf @ 4V, 1MHz
V40100GHM3/4W	-	RFQ	4444	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	V40100	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	20A	810 mV @ 20 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
1N4006E-E3/73	-	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4006	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐												800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
vss8d2m12hm3/i	0.4500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	S8D2	Schottky		Slimsmaw (do-221ad)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												120 v		600 mV @ 1 a		250 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 175 ° C	1.9a	220pf @ 4V, 1MHz
SE20DTG-M3/I	1.6600	RFQ	300	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형		기준		SMPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	짐												400 v		1.2 v @ 20 a	3 µs	25 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3.8a	150pf @ 4V, 1MHz
SS2PH10HE3/84A	-	RFQ	6990	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q100, ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS2PH10	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		800 mV @ 2 a		1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	65pf @ 4V, 1MHz
MBRB1535Cthe3_A/I	-	RFQ	9546	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB15	Schottky		TO-263AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	35 v	7.5A	840 mV @ 15 a		100 µa @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
UB10CCT-E3/8W	-	RFQ	3748	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	UB10	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	150 v	5a	1.1 v @ 5 a	25 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
sml4739ahe3/5a	-	RFQ	1862	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4739		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																	10 µa @ 7 v				9.1 v	5 옴
1N4248GP-M3/54	-	RFQ	1366	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을		1N4248				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500
BZG05B62-HM3-08	0.2079	RFQ	7270	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B62		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000															1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v				62 v	125 옴
MMBZ4699-HE3-18	-	RFQ	2805	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4699		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	50 na @ 9.1 v				12 v
VS-2N686	8.9707	RFQ	9255	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	2N686			TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100		20 MA	250 v	25 a	2 v	145a, 150a	40 MA	2 v	16 a	6 MA	표준 표준
TZM5261B-GS08	0.0303	RFQ	1376	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5261		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 36 v				47 v	105 옴
BY228GP-E3/54	1.5500	RFQ	2213	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	by228	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400	짐												1500 v		1.6 V @ 2.5 a	2 µs	5 µa @ 1500 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2.5A	40pf @ 4V, 1MHz
VI30100C-E3/4W	1.8900	RFQ	915	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VI30100	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	100 v	15a	800 mV @ 15 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²