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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
FES16ATHE3/45	-	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	FES16	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		975 MV @ 16 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-VSKDF500/06PBF	61.1653	RFQ	5830	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Fred Pt® Gen 4	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		int-a-pak	다운로드			영향을받지 영향을받지	112-VS-VSKDF500/06PBF	귀 99	8541.10.0080	15		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 독립	600 v	772A (DC)	1.66 V @ 500 a	104 ns	10 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 175 ° C
AZ23B12-HE3-08	0.0534	RFQ	9212	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B12		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 9 v						12 v	20 옴
AZ23C9V1-HE3-08	0.0436	RFQ	8369	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C9V1		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 7 v						9.1 v	10 옴
GBU8KL-5302E3/45	-	RFQ	3404	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU8	기준		GBU	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1						1 V @ 8 a		5 µa @ 800 v		3.9 a		단일 단일	800 v
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RGP02-14E-M3/54	-	RFQ	8675	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	RGP02	기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1400 v		1.8 v @ 100 ma	300 ns	5 µa @ 1400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	5pf @ 4V, 1MHz
AU2PKHM3/86A	-	RFQ	8921	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AU2	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		2.5 V @ 2 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	29pf @ 4V, 1MHz
BZD27B200P-HE3-08	0.1238	RFQ	2240	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B200		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v						200 v	500 옴
VS-16FLR20S05	4.7208	RFQ	6664	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	16FLR20	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
BZW03C16-TR	-	RFQ	3748	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZW03	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	BZW03		1.85 w	SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500						1.2 v @ 1 a		2 µa @ 12 v						16 v	1.3
BZG05C22-HM3-18	0.1172	RFQ	6827	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C22		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 16 v						22 v	25 옴
v10pwm45-m3/i	0.7000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		590 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	1900pf @ 4V, 1MHz
V20DM150C-M3/I	1.3200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V20DM150	Schottky		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	1.24 V @ 10 a		150 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 175 ° C
BYQ28E-100HE3/45	-	RFQ	3187	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	byq28	기준		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	5a	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
v12p45hm3_a/i	0.4506	RFQ	6751	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v12p45	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		580 mV @ 12 a		1 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	12a	-
v40pwm15chm3/i	1.5800	RFQ	39	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	v40pwm15	Schottky		Slimdpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	1.45 V @ 20 a		500 µa @ 150 v	-40 ° C ~ 175 ° C
TZMC5V1-GS08	0.2300	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	Tzmc5v1		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v						5.1 v	60 옴
DF01MA-E3/45	0.2528	RFQ	2673	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	DF01	기준		DFM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000						1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v		1 a		단일 단일	100 v
vssaf5m6-m3/i	0.4500	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®, Slimsma ™	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SAF5M6	Schottky		DO-221AC (Slimsma)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		660 mV @ 5 a		350 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C	5a	580pf @ 4V, 1MHz
BZG05C62-M3-08	0.3900	RFQ	838	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C62		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v						62 v	125 옴
MMBZ5230C-G3-18	-	RFQ	3556	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5230		225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
VB30120S-M3/4W	0.8938	RFQ	8978	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB30120	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		120 v		1.1 v @ 30 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
MMSZ5247B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	2018	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ5247B-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	15,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 13 v						17 v	19 옴
BZG05C16TR3	-	RFQ	6582	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 12 v						16 v	500 옴
BZX384C3V0-HE3-08	0.2600	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C3V0		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								10 µa @ 1 v						3 v	95 옴
MBRB1090-M3/8W	0.7447	RFQ	1059	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1090	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZG03B240TR	-	RFQ	3043	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG03B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 w	DO-214AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		1 µa @ 180 v						240 v	850 옴
VI20120C-E3/4W	1.0697	RFQ	2900	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VI20120	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	10A	900 mV @ 10 a		700 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27B36P-E3-08	0.1155	RFQ	8628	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B36		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v						36 v	40

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²