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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V40PW45CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40pw45CHM3/i 1.5700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v40pw45 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 640 mV @ 20 a 1.2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-STPS1045BTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS1045BTRL-M3 0.4613
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS1045 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsstps1045btrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 10 a 200 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 760pf @ 5V, 1MHz
12CWQ06FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12cwq06fntrr -
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 610 MV @ 6 a 3 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-30CTQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040STRLHM3 1.4476
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
RGL34K-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34K-E3/98 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) RGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 250 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
30CTQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CTQ035STRR -
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
GPP60DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60DHE3/73 -
RFQ
ECAD 5852 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, GPP60 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 200 v 1.1 v @ 6 a 5.5 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
SBLB1630CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1630Cthe3/81 -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1630 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 8a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
SE70PJHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pjhm3/87a -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 600 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
VS-10WQ045FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10wq045fntrl-m3 0.4712
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10WQ045 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10wq045fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 10 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 760pf @ 5V, 1MHz
SS5P10-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P10-E3/86A -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 880 mV @ 5 a 15 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SSC53L-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSC53L-M3/57T 0.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SSC53 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 5 a 700 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
VS-GT90DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT90DA120U 38.4000
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 781 w 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-GT90DA120U 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 169 a 2.6V @ 15V, 75A 100 µa 아니요
MURS140-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS140-E3/5BT 0.4900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS140 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-10AWT10TRR-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10awt10trr-e3 -
RFQ
ECAD 7712 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 10awt10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
BY252GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY252GP-E3/54 -
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by252 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VS-40HFR140M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR140M 15.8598
RFQ
ECAD 7678 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR140 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HFR140M 귀 99 8541.10.0080 100 1400 v 1.5 V @ 125 a -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
VS-VSKD56/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD56/04 39.2800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskd56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 음극 음극 공통 400 v 30A 10 ma @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRB1545CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1545Cthe3_B/P 0.7590
RFQ
ECAD 2371 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1545 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
ES1B-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1B-M3/61T 0.1007
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SGL41-40-E3/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-40-E3/1 -
RFQ
ECAD 6081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-213AB, MELF SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
AZ23C15-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C15-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 7631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C15 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
VS-123NQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-123NQ100PBF 23.6900
RFQ
ECAD 5501 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 하프 7 123NQ100 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 120 a 3 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 120a 2650pf @ 5V, 1MHz
SB260-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260-E3/53 0.2716
RFQ
ECAD 7035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB260 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 MV @ 2 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
VIT6045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT6045CBP-M3/4W 1.7325
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT6045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 640 mV @ 30 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
IRKD56/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD56/04A -
RFQ
ECAD 3759 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 400 v 60a 10 ma @ 400 v
VS-40HFL100S05M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL100S05M 22.8068
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFL100 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HFL100S05M 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.95 V @ 125.6 a -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
PTV6.8B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV6.8B-E3/85A -
RFQ
ECAD 7889 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV6.8 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 20 µa @ 3.5 v 7.3 v 6 옴
VS-6CWQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq03fntrl-m3 0.3345
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq03fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 3.5a 520 MV @ 6 a 2 ma @ 30 v 150 ° C (°)
VS-HFA80FA120P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa80fa120p -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 HFA80 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vshfa80fa120p 귀 99 8541.10.0080 180 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1200 v 40A (DC) 3.3 v @ 40 a 2 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고