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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS3P3HE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HE3/85A -
RFQ
ECAD 2306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BAS16D-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS16D-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAS16 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
VS-8EWF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ewF06S-M3 3.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-8ewf06s-m3gi 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
150LR5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 150LR5A -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 150LR5 기준 DO-205AC (DO-30) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *150lr5a 귀 99 8541.10.0080 10 50 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 50 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
BA159GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA159 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S8CKHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8CKHM3/i 0.3960
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8CK 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 985 MV @ 8 a 4 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 79pf @ 4v, 1MHz
VS-6CWQ10FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ10FNPBF -
RFQ
ECAD 1121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-85HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFL60S02 17.8300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 266.9 a 200 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
VS-60EPU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPU02-N3 7.0300
RFQ
ECAD 373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu02 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.08 V @ 60 a 28 ns 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
BAS20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS20-HE3-18 0.0303
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SMZJ3808BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3808bhm3_b/i 0.1500
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3808 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMZJ3808BHM3_B/ITR 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
MMBZ5242B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5242B-E3-18 -
RFQ
ECAD 1929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5242 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 9.1 v 12 v 30 옴
VS-S1407 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1407 -
RFQ
ECAD 8223 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 S1407 - 112-VS-S1407 1
HFA16PB120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA16PB120 -
RFQ
ECAD 4635 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 HFA16 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 V @ 16 a 135 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
S5BHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5BHE3/57T -
RFQ
ECAD 5732 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S5B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 100 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
VS-MBR40L15CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR40L15CWPBF -
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR40 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 420 MV @ 20 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
SD101A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 SD101 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 50 v 125 ° C (°) 30ma 2pf @ 0V, 1MHz
153CMQ100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 153cmq100 -
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA (수정), D-60 153cmq Schottky D-60 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 1.19 v @ 150 a 1.5 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA08SD60STRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa08sd60strpbf -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 HFA08 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VSKEL240-25S30 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKEL240-25S30 -
RFQ
ECAD 2165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKEL240 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 2500 v 3 µs 50 ma @ 2500 v 240A -
UGB10GCT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB10GCT-E3/81 -
RFQ
ECAD 6262 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
SBLB1030CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1030CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
SS16/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS16/1 -
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SS16 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N4003GPHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPHM3/54 -
RFQ
ECAD 7326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-20TQ040S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040S-M3 0.7748
RFQ
ECAD 6561 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
BAV23C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV23C-E3-18 0.0469
RFQ
ECAD 6994 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BAV23C 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 200MA (DC) 1 v @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
1N5402-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5402-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5402 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 200 v 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
VS-95PFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PFR40 6.3717
RFQ
ECAD 8784 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 95pfr40 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS95PFR40 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.4 V @ 267 a -55 ° C ~ 180 ° C 95A -
10ETF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10etf10 -
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 10etf10 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.33 V @ 10 a 310 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
8EWF12STR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ewf12str -
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf12 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 8 a 270 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고