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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GI811HE3/54	-	RFQ	1124	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	GI811	기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐		100 v		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BAT54C-G3-18	0.0501	RFQ	1477	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
SS14HE3_A/I	-	RFQ	1893	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
VBT4045C-M3/8W	1.6536	RFQ	9699	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VBT4045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	20A	580 mV @ 20 a		3 ma @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VF20120SG-E3/45	-	RFQ	4337	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	VF20120	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		120 v		1.33 V @ 20 a		250 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BZX84C36-G3-08	0.0353	RFQ	1974	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C36		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								50 na @ 25.2 v				36 v	90 옴
VS-C4PU3006L-N3	2.1500	RFQ	7281	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	C4PU3006	기준		TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.55 V @ 15 a	60 ns	15 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	-
BZX55C3V9-TR	0.2400	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C3V9		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v				3.9 v	85 옴
15ETH06S	-	RFQ	4413	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	15ETH06	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.2 v @ 15 a	35 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
vs-murd620cthm3	1.8300	RFQ	9903	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, FRED PT®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	murd620	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	3A	1 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
BY398P-E3/54	-	RFQ	8582	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	by398	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	500 ns	10 µa @ 400 v	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
S3B-M3/57T	0.1549	RFQ	4775	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐		100 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
FESF16HT-E3/45	1.1220	RFQ	4343	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭	FESF16	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.5 v @ 16 a	50 ns	10 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MBRD650CT	-	RFQ	4506	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	스위치 스위치 ™	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD6	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*MBRD650CT	귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	3A	700 mv @ 3 a		100 µa @ 50 v	-40 ° C ~ 150 ° C
smzj3800bhe3_a/i	-	RFQ	3423	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMZJ3800		1.5 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,200								5 µa @ 22.8 v				30 v	26 옴
GF1DHE3/67A	-	RFQ	5369	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	GF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		짐		200 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-1N3892R	-	RFQ	8877	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N3892	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	-
B350A-E3/61T	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	B350	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		720 MV @ 3 a		200 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	145pf @ 4V, 1MHz
BZT52B24-E3-08	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52B24		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 18 v				24 v	28 옴
BZG04-9V1-M3-18	0.1980	RFQ	5711	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG04-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG04-9V1		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		5 µa @ 9.1 v				11 v
AZ23B15-E3-08	0.0509	RFQ	9987	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B15		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 11 v				15 v	30 옴
vs-6cwq06fntrpbf	-	RFQ	7429	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	6CWQ06	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	3.5a	610 mV @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA08TB60-M3	0.9800	RFQ	1826	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	HFA08	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2.1 V @ 16 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VI30120C-M3/4W	0.8664	RFQ	2382	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VI30120	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	15a	970 MV @ 15 a		800 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27B13P-M3-18	0.1155	RFQ	9541	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		2 µa @ 10 v				13 v	10 옴
SB320-E3/54	0.4300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB320	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		490 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-MBRB3045CTR-M3	0.8438	RFQ	6721	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB3045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	15a	760 mV @ 30 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
vs-10etf02strr-m3	0.9834	RFQ	4134	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	10etf02	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
ESH2BHE3/5BT	-	RFQ	6523	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	ESH2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		930 MV @ 2 a	35 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
BYV28-050-TR	0.6138	RFQ	5339	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	BYV28	눈사태		SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.1 v @ 5 a	30 ns	1 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3.5a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²