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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VLZ30A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30A-GS18 -
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ30 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 25.6 v 27.69 v 55 옴
VS-43CTQ100STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ100STRR-M3 2.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
8ETH03-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETH03-1 -
RFQ
ECAD 6366 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH03 기준 TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
STPS1045BTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division stps1045btr -
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS1045 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 10 a 200 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 760pf @ 5V, 1MHz
FESB16FT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16FT-E3/81 1.0685
RFQ
ECAD 4638 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FESB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 16 a 50 ns 10 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 175pf @ 4V, 1MHz
BZT52B6V8-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B6V8-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B6V8 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
AZ23B18-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B18-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 8618 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B18 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
SB15H45-7000E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB15H45-7000E3/73 -
RFQ
ECAD 1697 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, SB15H45 Schottky P600 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 480 mV @ 5 a 300 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 7a 1020pf @ 4V, 1MHz
MSS1P2L-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P2L-M3/89A 0.4100
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSS1P2 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 250 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-20CTH03SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTH03SHM3 2.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20cth03 기준 To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 31 ns 20 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C
V6WM100C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6WM100C-M3/i -
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V6WM100 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3A 740 mV @ 3 a 150 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZG03B24-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B24-M3-08 0.2228
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B24 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 18 v 24 v 15 옴
GLL4742-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4742-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4742 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
BZD27C9V1P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C9V1P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C9V1 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.1 v 4 옴
FEP16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16JT-E3/45 1.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 16A 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR20100CT-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR20100CT-1HM3 0.9123
RFQ
ECAD 2627 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBR20100 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C24-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C24-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C24 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
V60DM60CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60DM60CHM3/i 2.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V60DM60 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 710 MV @ 30 a 2.1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
10ETS08FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ets08fp -
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10ets08 기준 TO-220AC 전체 ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 800 v 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
UGF15JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF15JTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3723 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UGF15 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
PTV30B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV30B-E3/84A -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV30 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 23 v 32 v 18 옴
VS-HFA30PB120HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa30pb120hn3 9.6878
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 HFA30 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vshfa30pb120hn3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 4.1 V @ 30 a 170 ns 40 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
SS2H10HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H10HE3_A/H 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS2H10 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 2 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-12CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ045-M3 1.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 12ctq045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 6A 730 mv @ 12 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZX85C27-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C27-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 7% - 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C27 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 µa @ 20 v 27 v 30 옴
BZT52B30-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B30-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9530 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B30 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 22.5 v 30 v 35 옴
SE70PGHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pghm3/86a -
RFQ
ECAD 6043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
IRKJ56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKJ56/12A -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKJ56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 1200 v 60a 10 ma @ 1200 v
20CTQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ctq045s -
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 640 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
VIT3045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT3045 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고