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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SBL25L25CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL25L25Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL25L25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 25 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B56-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B56-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 8886 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B56 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BZG05C56-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C56-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 8128 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C56 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 43 v 56 v 120 옴
VS-8DKH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8DKH02-M3/H 0.8900
RFQ
ECAD 564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn 8DKH02 기준 flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 4a 960 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
SMAZ5929B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5929B-E3/61 0.4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5929 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
GI250-2HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-2HE3/54 -
RFQ
ECAD 1849 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GI250 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 2000 v 3.5 v @ 250 ma 2 µs 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 250ma 3pf @ 4V, 1MHz
BYD13DGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13DGP-E3/54 -
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BYD13 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 884pf @ 1v, 1MHz
VSS8D3M12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d3m12-m3/h 0.4500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D3 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 610 MV @ 1.5 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 310pf @ 4V, 1MHz
1N4007GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/73 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBR20H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 710 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84B6V8-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B6V8-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B6V8 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
1N4150TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150tr 0.2700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4150 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 v @ 200 ma 4 ns 100 na @ 50 v 175 ° C (°) 300ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
1N4007GPE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/54 -
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
PLZ22C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ22C-HG3_A/H 0.0476
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz22 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 17 v 22 v 30 옴
VF30120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30120SG-E3/4W 0.9182
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF30120 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.28 V @ 30 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-6CWT04FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwt04fntrr -
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWT04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 3A 600 mV @ 3 a 25 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-25CTQ040STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ctq040strrpbf -
RFQ
ECAD 6081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ctq040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs25ctq040strrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 30A 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 40 v 150 ° C (°)
MBR40H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR40H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1610 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR40 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 680 mV @ 20 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-30CTQ035-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035-1HM3 1.2877
RFQ
ECAD 6514 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 30CTQ035 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-20CTQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045PBF -
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ctq045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 640 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
TZQ5249B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5249B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5249 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
BZT52C13-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C13-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C13 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 13 v 9 옴
VS-MBRB1035HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1035HM3 0.9075
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-VS-MBRB1035HM3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
ZGL41-120A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-120A-E3/97 0.2020
RFQ
ECAD 6396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
BYM12-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-200-E3/97 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZG05C51-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-HM3-18 0.1172
RFQ
ECAD 1543 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C51 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 39 v 51 v 115 옴
SE60PWJCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se60pwjchm3/i 0.7200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SE60 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 600 v 1.1 v @ 3 a 1.2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 22pf @ 4V, 1MHz
GI810-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI810-E3/54 -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GI810 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 50 v 1.2 v @ 1 a 750 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
10TQ035S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TQ035S -
RFQ
ECAD 5187 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10TQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 570 mV @ 10 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
VS-STPS1045BTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-stps1045btrlpbf -
RFQ
ECAD 1145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS1045 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 10 a 200 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고