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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27B13P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B13P-M3-18 0.1155
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
SB320-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB320-E3/54 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB320 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 490 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
VS-MBRB3045CTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB3045CTR-M3 0.8438
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB3045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-10ETF02STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf02strr-m3 0.9834
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10etf02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
ESH2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2BHE3/5BT -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BYV28-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-050-TR 0.6138
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYV28 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 5 a 30 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.5a -
1N5627GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5627GP-E3/54 -
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5627 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1 V @ 3 a 3 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VS-309URA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-309URA160 -
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 309URA160 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
BZW03D12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D12-TAP -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 9.1 v 12 v 2.5 옴
1N4247GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4247GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4247 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 160 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZG05C11-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C11-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C11 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 8.2 v 11 v 8 옴
BAT54A-DEL-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-DEL-E3-18 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - Bat54 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 - - - -
MMSZ5236B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
BZG03C36-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C36-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C36 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
GL34D/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34D/1 -
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AA (유리) GL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 200 v 1.2 v @ 500 ma 1.5 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
VS-TH230BL12P-S2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-TH230BL12P-S2 -
RFQ
ECAD 6567 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 VS-TH230 - Rohs3 준수 112-VS-TH230BL12P-S2 1
VS-40HFL60S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL60S05 8.7168
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.95 V @ 40 a 500 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
B350A-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B350A-M3/5AT 0.1155
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B350 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 145pf @ 4V, 1MHz
BZG04-150-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-150-M3-08 0.5400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-150 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 150 v 180 v
SMAZ5943B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5943B-E3/5A 0.1150
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5943 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
BZG05C43TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C43TR3 -
RFQ
ECAD 3559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 33 v 43 v 1000 옴
MMSZ5240C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240C-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5240 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
BZG03C91-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C91-M3-08 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C91 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 68 v 91 v 200 옴
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC-M3/86A -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 2A 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BAS85-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS85-M-18 0.0611
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS85 Schottky SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
AZ23B47-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B47-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B47 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 35 v 47 v 100 옴
MMSZ5257B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2738 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5257 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
VS-VSKC196/12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC196/12PBF 66.5793
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak VSKC196 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKC19612PBF 귀 99 8541.10.0080 15 1 연결 연결 시리즈 1200 v 97.5A 20 ma @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-307U160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-307U160 -
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 307U160 기준 DO-205AB (DO-9) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS307U160 귀 99 8541.10.0080 12 1600 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
SML4760HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4760HE3_A/I 0.2107
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4760 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고