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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZD27B13P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µa @ 10 v | 13 v | 10 옴 | ||||||||||||
SB320-E3/54 | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SB320 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 490 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTR-M3 | 0.8438 | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB3045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 760 mV @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | vs-10etf02strr-m3 | 0.9834 | ![]() | 4134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10etf02 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.2 v @ 10 a | 200 ns | 100 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | ESH2BHE3/5BT | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ESH2 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 930 MV @ 2 a | 35 ns | 2 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | BYV28-050-TR | 0.6138 | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BYV28 | 눈사태 | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.1 v @ 5 a | 30 ns | 1 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3.5a | - | ||||||||||
1N5627GP-E3/54 | - | ![]() | 9450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 1N5627 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 800 v | 1 V @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
VS-309URA160 | - | ![]() | 3551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 309URA160 | 표준, 극성 역 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 1600 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 330a | - | ||||||||||||||
![]() | BZW03D12-TAP | - | ![]() | 8648 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 9.1 v | 12 v | 2.5 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N4247GPHE3/73 | - | ![]() | 2735 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4247 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 160 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZG05C11-M3-18 | 0.1089 | ![]() | 1383 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05C11 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 8.2 v | 11 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | BAT54A-DEL-E3-18 | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | Bat54 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5236B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 4433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5236 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 | |||||||||||||
![]() | BZG03C36-M3-18 | 0.1815 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C36 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 27 v | 36 v | 40 | ||||||||||||
![]() | GL34D/1 | - | ![]() | 1174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | GL34 | 기준 | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 짐 | 200 v | 1.2 v @ 500 ma | 1.5 µs | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-TH230BL12P-S2 | - | ![]() | 6567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | VS-TH230 | - | Rohs3 준수 | 112-VS-TH230BL12P-S2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40HFL60S05 | 8.7168 | ![]() | 5379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 40HFL60 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.95 V @ 40 a | 500 ns | 100 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 40a | - | ||||||||||
![]() | B350A-M3/5AT | 0.1155 | ![]() | 5718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | B350 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 720 MV @ 3 a | 200 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 145pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZG04-150-M3-08 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG04-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG04-150 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 5 µa @ 150 v | 180 v | |||||||||||||
![]() | SMAZ5943B-E3/5A | 0.1150 | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | smaz5943 | 500MW | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 42.6 v | 56 v | 86 옴 | ||||||||||||
![]() | BZG05C43TR3 | - | ![]() | 3559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 33 v | 43 v | 1000 옴 | ||||||||||||
![]() | MMSZ5240C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5240 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||||
![]() | BZG03C91-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.04% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C91 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 68 v | 91 v | 200 옴 | ||||||||||||
![]() | UH4PBC-M3/86A | - | ![]() | 8333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | uh4 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 2A | 1.05 V @ 2 a | 25 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | BAS85-M-18 | 0.0611 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BAS85 | Schottky | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 800 mv @ 100 ma | 2 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||
AZ23B47-G3-18 | 0.0594 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B47 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 35 v | 47 v | 100 옴 | |||||||||||||
![]() | MMSZ5257B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 2738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5257 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-VSKC196/12PBF | 66.5793 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | int-a-pak | VSKC196 | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKC19612PBF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1200 v | 97.5A | 20 ma @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
VS-307U160 | - | ![]() | 9225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 307U160 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS307U160 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 1600 v | 1.46 V @ 942 a | -40 ° C ~ 180 ° C | 330a | - | ||||||||||||
![]() | SML4760HE3_A/I | 0.2107 | ![]() | 9408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4760 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 150 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고