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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-S1357 | - |  | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 112-VS-S1357 | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AZ23C51-E3-18 | 0.0415 | | 7071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C51 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 38 v | 51 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||
 | BZT52C10-G3-08 | 0.0409 | | 1032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C10 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5234B-E3-08 | 0.2100 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5234 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| MMBZ4715-HE3-18 | - | | 1875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4715 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 NA @ 27.3 v | 36 v | |||||||||||||||||||||||||
| BZG05B15-HE3-TR3 | - | | 5066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZD27B16P-M3-18 | 0.1155 | | 8526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 12 v | 16 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX85B30-TR | 0.3800 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX85 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85B30 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 22 v | 30 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||
 | smzg3799ahe3/5b | - | | 7514 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | smzg37 | 1.5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 23 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| MBRB20H45CT-E3/45 | - | | 5967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB20 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 630 mv @ 10 a | 100 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
| v3fm12hm3/i | 0.0891 | | 4393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | V3FM12 | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 940 MV @ 3 a | 100 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 3A | 220pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| MMSZ4684-E3-18 | 0.0360 | | 5168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4684 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 7.5 µa @ 1.5 v | 3.3 v | |||||||||||||||||||||||||
 | tzx30b b | 0.2300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX30 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 23 v | 30 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||
 | G5SBA20L-E3/45 | - | | 6008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | G5SBA20 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 3 a | 5 µa @ 200 v | 2.8 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||||||||||
| BZX84C75-HE3-18 | 0.0323 | | 6363 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C75 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 52.5 v | 75 v | 255 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| AZ23C3V0-HE3_A-18 | - | | 3808 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-AZ23C3V0-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B36-HE3_A-18 | - | | 6444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-BZX84B36-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C36-G3-18 | 0.0483 | | 3333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C36 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 27 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||
| egp10ahe3/73 | - | | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| MMBZ525C-E3-18 | - | | 5018 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5255 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 21 v | 28 v | 44 옴 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZT03C6V8-TAP | 0.2970 | | 9347 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT03 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5.88% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BZT03C6V8 | 1.3 w | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 ma @ 5.1 v | 6.8 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||||
| BZX85C91-TAP | - | | 3050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX85 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85C91 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 68 v | 91 v | 250 옴 | ||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKT250-14PBF | 233.4650 | | 1193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Magn-A-Pak | VSKT250 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 1.4kV | 555 a | 3 v | 8500A, 8900A | 200 MA | 250 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||||||||||||||||
 | TZM5249F-GS18 | - | | 8717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5249 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 600 옴 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZG03C20TR3 | - | | 7266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||
| BZX84C16-HE3-08 | 0.2400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C16 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||
 | v8pm10hm3/h | 0.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v8pm10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 750 MV @ 8 a | 60 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||
| sml4754ahe3/5a | - | | 2136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4754 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84B39-E3-18 | 0.0324 | | 1681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B39 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 27.3 v | 39 v | 130 옴 | ||||||||||||||||||||||||
| RS1D-E3/61T | 0.4700 | | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RS1D | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz |
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