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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-HFA15TB60STRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa15tb60strrp -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA15 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-20ETS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20ets12strl-m3 2.1600
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.1 v @ 20 a 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
BAV19WS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-HE3-18 0.0416
RFQ
ECAD 1647 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 bav19 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
TLZ3V6A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V6A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ3V6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 60 옴
GBU4DL-6419M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4DL-6419M3/51 -
RFQ
ECAD 4434 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 5 µa @ 200 v 3 a 단일 단일 200 v
BZG04-56-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-56-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-56 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 56 v 68 v
RS1FLG-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1flg-m3/h 0.3400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.2 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZG05B62-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B62-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B62 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47 v 62 v 125 옴
VS-8EWF04STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf04str-m3 2.0160
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf04 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewf04strm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-6FR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FR10 5.2510
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6fr10 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
S5KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5KHE3_A/H 0.2162
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 800 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
B360B-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B360B-M3/5BT 0.1200
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB B360 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
VS-HFA16TB120STRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa16tb120strp -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 V @ 16 a 135 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-SD600N08PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd600n08pc 158.6317
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD600 기준 B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 800 v 1.31 V @ 1500 a 35 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 600A -
VS-45APF06L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APF06L-M3 -
RFQ
ECAD 2542 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 45APF06 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-45APF06L-M3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.31 V @ 45 a 180 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 45A -
1N4756A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4756A-T -
RFQ
ECAD 1056 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4756 1.3 w DO-41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 1500 옴
VSS8D2M10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m10-m3/i 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D2 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 250pf @ 4V, 1MHz
VS-VSUD410CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD410CW60 50.0900
RFQ
ECAD 1178 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB VSUD410 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvsud410cw60 귀 99 8541.10.0080 10 1 음극 음극 공통 600 v 572A 1.37 V @ 400 a 215 ns 3 ma @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C
V8K202DU-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8K202DU-M3/H 0.2998
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V8K202DU-M3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 1.8a 920 MV @ 4 a 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5247C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5247C-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5247 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
S4PKHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PKHM3/86A -
RFQ
ECAD 7009 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn S4P 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 800 v 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 30pf @ 4V, 1MHz
BYS10-45-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45-E3/TR 0.4300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
IRKC166/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKC166/04 -
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 int-a-pak (3) IRKC166 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1 음극 음극 공통 400 v 165a 20 ma @ 400 v
SL23HE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23HE3/52T -
RFQ
ECAD 4438 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
RS07B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS07B-GS18 0.1089
RFQ
ECAD 1001 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.15 V @ 700 ma 150 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 9pf @ 4V, 1MHz
VBT2080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2080C-M3/8W 0.8057
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt2080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 10A 810 mv @ 10 a 600 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5257C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5257C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5257 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
FES16HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16HTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES16 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.5 v @ 16 a 50 ns 10 µa @ 500 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-6CWQ06FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq06fntrlhm3 1.0222
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq06fntrlhm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3.5a 610 mV @ 3 a 2 ma @ 60 v 150 ° C (°)
12CWQ04FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12cwq04fntrr -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 6A 560 mV @ 6 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고